容量：4Mbit
　　组织方式：256K x 16
　　电源电压：3.3V 或 5V（具体型号视后缀而定）
　　访问时间：12ns
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　封装类型：52-TSOP
　　引脚数：52
　　最大工作频率：约83MHz（基于访问时间12ns）
　　功耗：典型工作电流约100mA（视频率而定）

HN27C4096CC12 是一款高速 SRAM 芯片，具备出色的读写性能和稳定性。其访问时间为 12ns，支持高达 83MHz 的工作频率，能够满足高速缓存和实时数据处理的需求。该芯片采用低功耗 CMOS 工艺，在高速运行的同时仍能保持较低的功耗水平，适合便携式设备和嵌入式系统使用。此外，HN27C4096CC12 支持 3.3V 或 5V 电源供电，兼容多种系统电压设计，提高了应用的灵活性。其 52-TSOP 封装形式具有较小的体积，适用于空间受限的 PCB 设计。芯片内部集成了地址和数据缓冲器，确保了高速操作下的信号完整性。HN27C4096CC12 采用静态存储单元，无需刷新操作，简化了系统设计并提高了数据可靠性。该芯片还具备较强的抗干扰能力，适合在工业和通信环境中使用。
　　HN27C4096CC12 的控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），支持异步读写操作，适用于多种总线架构。其数据总线宽度为 16 位，适合高速数据传输应用。芯片内部采用双译码结构，确保了快速地址访问和稳定的数据输出。HN27C4096CC12 还具备较强的驱动能力，可直接驱动多个负载，减少了对外部缓冲器的依赖。

HN27C4096CC12 常用于需要高速数据存取的嵌入式系统，如工业控制、网络设备、通信模块和测试仪器。其 4Mbit 容量和 16 位数据总线设计使其适用于图形缓存、高速缓冲存储器（Cache）、数据采集系统和 FPGA/CPLD 接口扩展等应用。此外，HN27C4096CC12 也可用于老式计算机系统的扩展内存或替代原有 SRAM 芯片。

CY7C1041B-12ZSXC、IS61LV25616-12B4BLI、IDT71V416S12PHGI、A27C4096、HM62V8100BPCE-BA