产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：8.2 pF
　　容差：±1%
　　额定电压：50 V
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化率 ±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/外壳：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍/锡（Ni/Sn）
　　直流偏压特性：在额定电压下电容值会有所下降，需参考具体DC偏压曲线
　　老化特性：X7R材料存在轻微老化现象，典型值为每十倍时间周期约2.5%

CL10C820FB8NNNC具有优异的高频响应能力，得益于其小尺寸封装和低寄生电感设计，能够在GHz级别的射频电路中保持良好的阻抗特性。X7R陶瓷介质赋予其较宽的工作温度范围，在-55°C到+125°C之间电容值的变化不超过±15%，这使其适用于各种严苛环境下的应用。该电容器具备较高的绝缘电阻和较低的漏电流，确保在高压信号处理中的稳定性与安全性。其50V的额定电压高于一般低压逻辑电路所需，因此可应用于电源去耦、中频放大器旁路等多种场景。此外，±1%的严格容差保证了电路参数的一致性，特别适合用于滤波器、振荡器和谐振电路等对电容精度要求较高的设计。
　　该器件采用表面贴装技术（SMT），兼容自动化贴片生产线，有助于提高制造效率并降低组装成本。其结构坚固，抗机械应力能力强，能够承受多次回流焊过程而不影响性能。三星电机在材料配方和叠层工艺方面拥有先进技术，使得CL10C820FB8NNNC在寿命测试、高温高湿偏压（H3TRB）和温度循环测试中表现出卓越的可靠性。产品符合无铅焊接要求，支持无卤素（Halogen-Free）和绿色制造标准。虽然X7R材料相对于C0G/NP0类型存在一定的电压依赖性和老化效应，但在大多数非精密模拟和数字电路中仍能提供足够稳定的性能表现。整体而言，这款电容器结合了小型化、高性能与高可靠性的优势，是现代电子系统中理想的高频去耦和信号调理元件。

CL10C820FB8NNNC广泛应用于需要稳定电容特性和紧凑布局的电子系统中。在无线通信领域，它常用于射频前端模块（RF Front-End Module）中的偏置馈电（Bias Tee）、阻抗匹配网络以及带通滤波器中，以确保信号传输的完整性。在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容器被大量用于处理器周围的电源去耦，有效抑制高频噪声，提升系统稳定性。其50V额定电压也使其适用于工业传感器接口电路、医疗监测设备以及汽车电子控制系统中的信号调理部分。
　　在消费类电子产品如电视、机顶盒和Wi-Fi路由器中，CL10C820FB8NNNC可用于时钟线路的旁路和高速数据通道的噪声抑制。由于其良好的温度稳定性和长期可靠性，也可部署于工作环境较为恶劣的工业自动化设备和户外通信单元中。此外，在电源管理单元（PMU）中，该电容可用于DC-DC转换器输出端的次级滤波，辅助平滑电压波动。在测试测量仪器和高速ADC/DAC信号链中，尽管不作为主采样电容使用，但仍可用于辅助滤波和局部退耦，从而减少串扰和电磁干扰（EMI）。总体来看，该器件适用于所有需要小体积、中高压、中等精度陶瓷电容的应用场合，尤其在高频模拟和混合信号电路中发挥重要作用。