型号：CL10C221KB8NNNC
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0603 (1.6 x 0.8 mm)
　　电容值：220pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介电材料：X7R (EIA)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +125°C)
　　介质击穿电压：≥ 2 倍额定电压
　　绝缘电阻：≥ 4 GΩ·μF 或 500 MΩ（取较大值）
　　使用寿命：在额定电压和最高工作温度下可稳定运行1000小时以上
　　老化率：X7R材料典型老化率为每十倍频程约2.5%
　　ESR（等效串联电阻）：低，具体值取决于应用频率
　　ESL（等效串联电感）：极低，适用于高频去耦应用
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端子类型：镍阻挡层 + 锡覆盖（Ni-Sn）
　　包装形式：卷带包装（Tape and Reel）
　　无铅/符合RoHS：是

CL10C221KB8NNNC采用先进的叠层陶瓷制造工艺，内部由多个薄层陶瓷介质与内电极交替堆叠而成，形成高可靠性的多层结构。这种结构不仅提升了单位体积下的电容密度，还有效降低了等效串联电感（ESL），使其在高频环境下仍能保持优异的去耦性能。其X7R介电材料具备出色的温度稳定性，在-55°C至+125°C范围内电容变化不超过±15%，确保了电路在宽温条件下工作的稳定性。
　　该器件的机械强度高，抗热冲击能力强，能够在多次回流焊过程中保持结构完整性，避免因温度循环导致的裂纹或分层问题。其端电极采用双层金属化设计，底层为镍阻挡层，表层为锡覆盖，提供了优良的可焊性与长期耐腐蚀能力，同时防止银离子迁移现象的发生，提高了长期使用的可靠性。
　　CL10C221KB8NNNC具有较低的寄生参数，尤其适合用于高速数字电路中的电源去耦，能够有效滤除高频噪声，稳定供电电压。在射频电路中，它可用于偏置电路的旁路或阻抗匹配网络中的耦合电容，因其电容值随温度和电压的变化较小，保证了系统性能的一致性。
　　此外，该产品通过严格的品质控制流程，符合AEC-Q200等可靠性标准（视具体批次而定），适用于对稳定性要求较高的工业和汽车电子应用。其小型化0603封装适应现代PCB高密度布线需求，有助于缩小整体产品体积，提升集成度。批量生产一致性好，适合自动化贴片生产线使用，降低制造成本。

CL10C221KB8NNNC广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要稳定电容值和良好高频响应的场合。常见用途包括各类集成电路的电源去耦，例如微处理器、FPGA、ASIC和存储器芯片的VDD引脚附近，用以滤除开关噪声并维持电源轨的稳定性。在DC-DC转换器和LDO稳压电路中，它常被用作输入输出滤波电容，提升电源效率和瞬态响应能力。
　　在模拟电路中，该电容器可用于信号耦合与去耦，特别是在运算放大器、ADC/DAC前后级电路中，起到隔离直流分量、传递交流信号的作用。由于其X7R材质的非线性特性较弱，适合中等精度的模拟信号处理路径。
　　在通信设备领域，该型号可用于射频模块中的偏置馈电电容（RF choke coupling）、滤波器组件或天线匹配网络，帮助优化阻抗匹配，提高信号传输效率。在无线模块如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等短距离通信单元中，也常见其用于本地去耦和噪声抑制。
　　此外，该器件还适用于工业控制板、医疗电子设备、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备）以及汽车电子中的信息娱乐系统和车身控制模块。由于其符合环保标准且具备高可靠性，也可用于对长期稳定性有要求的嵌入式系统和户外设备中。

GRM188R71H221KA01D
　　CC0603KRX7R9BB221
　　C1608X7R1H221K035