类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
　　工作电压：30V
　　峰值脉冲电流：20A（8/20μs）
　　钳位电压：48.4V @ 20A
　　反向关态电压：30V
　　最大反向漏电流：10μA
　　响应时间：1.0ps
　　封装类型：SOD-123
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

P4SODJ30A-SH 采用先进的硅雪崩二极管技术，能够在极短时间内响应瞬态电压事件，从而有效保护敏感的电子元件。该器件的钳位电压较低，能够在不损坏电路的前提下吸收高能量瞬态电压。此外，其紧凑的SOD-123封装使得该TVS二极管非常适合用于空间受限的设计中，例如智能手机、平板电脑和便携式消费电子产品。
　　该器件的双向配置确保了其在正负电压瞬变中的有效保护能力，适用于数据线、电源线和信号线的保护。其低电容特性（通常低于15pF）使其非常适合用于高速数据线路的保护，不会对信号完整性产生显著影响。
　　从可靠性角度来看，P4SODJ30A-SH 符合IEC 61000-4-2标准，能够承受高达±30kV的空气放电和±30kV的接触放电，具备极高的抗静电能力。同时，其高浪涌承受能力（可达20A）也确保了在严苛环境下的稳定运行。

P4SODJ30A-SH 主要用于各类消费电子和工业设备中的瞬态电压保护。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等便携设备的USB、HDMI和其他高速数据接口保护。此外，它也广泛用于通信设备、安防系统、工业自动化控制系统以及汽车电子系统中的敏感电路保护。
　　由于其低钳位电压和快速响应时间，P4SODJ30A-SH 特别适合用于保护低压CMOS器件、微处理器、存储器和逻辑电路。在汽车电子应用中，它可以用于车载娱乐系统、导航系统、传感器接口等关键电路的保护，确保车辆电子系统在复杂电磁环境中的稳定运行。

P4SODJ30AT1G, SMAJ30A, SMDJ30A