型号：CL10B823KA8NNNC
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0603 (1608 公制)
　　电容值：82nF (0.082μF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：X7R（或等效特性）
　　温度特性：-55°C 至 +125°C，电容变化不超过 ±15%
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　绝缘电阻：≥4000MΩ 或 时间常数 ≥400S
　　使用寿命：在额定电压与+125°C条件下至少1000小时
　　端接类型：镍阻挡层（Ni-barrier）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS 合规，无卤素（Halogen-free）

CL10B823KA8NNNC 作为一款高性能的多层陶瓷电容器，在电气稳定性、机械可靠性和环境适应性方面表现出色。首先，其采用X7R类高介电常数陶瓷介质，能够在宽温范围内保持相对稳定的电容值，具体表现为在-55°C到+125°C之间，电容的变化幅度控制在±15%以内，这使其非常适合用于对温度敏感的应用场合，如精密模拟电路中的滤波或定时功能。相较于Z5U或Y5V等介质材料，X7R提供了更优的温度稳定性和更低的非线性失真，避免了因温度波动导致系统性能漂移的问题。
　　其次，该器件具备50V的直流额定电压，远高于一般低压数字电路的工作电压，因此在3.3V、5V甚至12V供电系统中均能提供充足的安全裕度，有效防止瞬态过压或电源波动引发的击穿风险。这一特性使得它不仅可用于常规去耦应用，也可胜任开关电源输出端的平滑滤波任务。同时，82nF的标称电容值配合±10%的容差，满足多数中频滤波和交流耦合需求，尤其适用于ADC参考电压缓冲、运算放大器反馈网络以及音频信号路径处理。
　　从结构设计来看，CL10B823KA8NNNC采用0603小型化封装，占用PCB面积小，有利于实现高密度布局，特别适合智能手机、穿戴设备及物联网模块等空间受限的产品。其镍阻挡层端子结构增强了抗硫化能力，提升了在恶劣环境下的长期可靠性，避免传统银电极因硫化而导致开路失效的问题。此外，该产品经过严格的回流焊兼容性测试，支持峰值温度达260°C的无铅焊接工艺，确保在现代自动化贴片生产线上的良好加工性能。
　　最后，该器件符合RoHS和无卤素规范，体现了绿色环保的设计理念，适用于全球市场的出口产品认证。综合来看，CL10B823KA8NNNC凭借其优良的温度稳定性、可靠的电气性能和紧凑的物理尺寸，成为众多电子系统中不可或缺的基础元件。

CL10B823KA8NNNC 多层陶瓷电容器广泛应用于各类电子设备中，主要用于电源去耦、信号滤波、交流耦合及噪声抑制等关键电路环节。在数字系统中，它常被配置于微处理器、FPGA或ASIC的电源引脚附近，作为高频去耦电容，有效吸收瞬态电流尖峰，维持局部电源轨的电压稳定，从而提升系统的抗干扰能力和运行可靠性。在模拟电路领域，该电容可用于有源滤波器、运算放大器的反馈网络或ADC/DAC的参考电压旁路，以减少高频噪声对精度的影响。其稳定的X7R介质特性确保在不同工作温度下仍能维持良好的滤波特性和相位响应，保障信号链的准确性。
　　在通信设备中，CL10B823KA8NNNC 可用于射频前端模块的偏置电路旁路、本地振荡器的电源净化以及差分信号线路的共模滤波，有助于降低相位噪声和提高信噪比。此外，在开关电源（SMPS）设计中，该电容可作为次级整流后的输出滤波元件之一，协助平滑纹波电压，改善动态负载响应。由于其50V额定电压的支持，也适用于12V或24V工业控制系统的辅助电源滤波应用。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器和可穿戴设备也是其主要应用场景。在这些产品中，小型化的0603封装极大节省了PCB空间，而其优异的高频响应特性则满足高速数据传输通道的信号完整性要求。此外，在汽车电子中，尽管该型号未明确标注AEC-Q200认证，但在非动力域的车载信息娱乐系统或车身控制模块中仍有使用实例，前提是工作条件在其规格范围内。总之，该器件因其通用性强、性能稳定、成本适中，已成为现代电子设计中常见的被动元件选择。

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　　 "CL10B823KA8NNNC/SN",
　　 "CL10B823KB8LNNPC",
　　 "GRM188R71H823KA01D",
　　 "C1608X7R1H823K",
　　 "CC0603KRX7R9BB823"
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