时间：2025/11/12 16:26:00
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CL10B684KO8VPNC是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高介电常数的X5R陶瓷材料体系，具有较高的电容密度，适用于需要小尺寸、大容量的去耦、滤波和旁路应用。其封装尺寸为0603（公制1608），额定电压为16V DC，标称电容值为0.68μF（即680nF），电容容差为±10%。该产品采用标准的卷带包装，符合RoHS环保要求，并具备良好的焊接可靠性和温度稳定性。CL10B684KO8VPNC广泛应用于消费类电子产品、移动通信设备、电源管理模块以及便携式电子设备中。由于其小型化设计和稳定的电气性能，在高频开关电源和DC-DC转换器中也表现出优异的去耦效果。此外，该型号使用镍阻挡层电极结构（Ni-barrier electrode），提升了抗硫化能力，增强了在恶劣环境下的长期可靠性。整体而言，这是一款性价比高、通用性强的表面贴装陶瓷电容器，适合自动化贴片生产流程。
产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
电容值：0.68μF (684表示68×10? pF)
容差：±10%
额定电压：16V DC
温度特性：X5R（工作温度范围：-55°C 至 +85°C，电容变化率不超过±15%）
封装尺寸：0603（1608 公制）
长度：1.6 mm
宽度：0.8 mm
厚度：最大 1.0 mm
电极结构：Ni-barrier（抗硫化设计）
工作温度范围：-55°C 至 +85°C
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
介质材料：Class II, X5R
安装方式：表面贴装（SMD）
端接类型：镍阻挡层/锡外涂层（Ni/Sn）
无铅/含铅状态：无铅，符合RoHS指令
CL10B684KO8VPNC采用先进的多层陶瓷制造工艺，具备出色的电容稳定性和温度适应性。其X5R介质材料确保在-55°C到+85°C的工作温度范围内，电容值的变化不超过±15%，相较于Y5V等材料具有更优的温度稳定性，适用于对电容波动敏感的应用场景。该电容器的0603小型封装使其能够在空间受限的高密度PCB布局中实现高效布线，同时保持良好的电气性能。其16V的额定电压适合于大多数低压电源轨（如3.3V、5V、12V系统）中的去耦与滤波任务。
该器件采用了镍阻挡层（Ni-barrier）电极技术，显著提高了抗硫化能力，防止因环境中硫元素渗透导致内部电极发生化学反应而引起开路失效，从而增强在工业或户外环境中的长期可靠性。这一特性使得CL10B684KO8VPNC比传统端银（Ag/Pd）电极产品更适合用于汽车电子、通信基础设施和工业控制等对耐久性要求较高的领域。
在电气性能方面，该MLCC具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频下仍能维持较高的阻抗抑制能力，有效滤除电源噪声和瞬态干扰。因此，它常被用作数字IC的电源引脚旁路电容，以稳定供电电压并减少电磁干扰（EMI）。此外，其无磁性材料构造也适用于对磁场敏感的精密电路中。
生产工艺上，该型号遵循严格的品质控制标准，具备良好的可焊性和热循环耐受性，支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线。同时，产品经过老化测试和批次抽检，确保出厂一致性。由于三星电机在全球MLCC市场的领先地位，该型号供应稳定，交期可控，是许多OEM厂商优选的标准被动元件之一。
CL10B684KO8VPNC广泛应用于各类电子设备中的电源去耦、信号滤波和噪声抑制电路。常见使用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式消费电子产品，在这些设备中用于为处理器、内存、射频模块等关键芯片提供稳定的本地电源。在电源管理系统中，该电容器常被配置于DC-DC转换器输出端，用于平滑输出电压纹波，提升电源效率与稳定性。
在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，该型号用于模拟前端和数字逻辑电路之间的退耦，降低串扰和电磁干扰。此外，也可用于音频放大器的耦合与去耦电路中，改善音质表现。在工业控制和自动化系统中，凭借其抗硫化特性和宽温工作能力，能够适应较严苛的运行环境，保障系统长期可靠运行。
该电容器还适用于各类嵌入式系统、物联网（IoT）节点、传感器模块和可穿戴设备。在这些低功耗、高集成度的设计中，0603封装的小型化优势尤为突出。同时，因其符合RoHS环保标准且不含卤素，满足现代绿色电子产品设计的要求。无论是原型开发还是批量生产，CL10B684KO8VPNC都是一款成熟可靠的通用型MLCC选择。
CL10B684KB8LNPC
CL10B684KO8NNNC
GRM188R71C684KA01D
C1608X5R1C684K
ECJ-1VA1C684U
