时间：2025/8/6 0:12:41
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IXGP50N33TBM-A 是一款由 Littelfuse（原IXYS）制造的高性能功率MOSFET，采用先进的Trench技术，具有低导通电阻和高效率的特性。该MOSFET适用于高功率密度应用，如电源转换器、电机控制、UPS系统和工业自动化设备。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：330V
漏极电流（Id）：50A（Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.042Ω @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：TO-247
功率耗散（Pd）：300W
IXGP50N33TBM-A 采用先进的Trench沟槽结构设计，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有优异的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作。其高耐压能力（330V）使其适用于多种中高功率应用场景。该MOSFET的封装采用TO-247标准封装，具备良好的散热性能和机械强度，适合工业级应用需求。此外，该器件具备较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度，降低开关损耗，适用于高频开关电源和电机驱动系统。
在可靠性方面，IXGP50N33TBM-A 通过了严格的工业标准测试，具有较高的耐用性和稳定性，能够在恶劣环境下长期运行。其高雪崩能量耐受能力也增强了在突发负载条件下的稳定性。此外，该MOSFET具备良好的短路耐受能力，提升了系统在异常工况下的安全性。
IXGP50N33TBM-A 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备和太阳能逆变系统等高功率电子系统中。其优异的导通性能和高频响应能力使其成为高效能功率转换系统的理想选择。此外，该MOSFET也适用于需要高可靠性和稳定性的工业控制设备和新能源应用，如储能系统和电能质量调节装置。
IXFN50N33T, IXFH50N33T, IRFP4668, APT50N33B2
