制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容：5.6nF (5600pF)
　　容差：±5%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/尺寸：0805（2012公制）
　　电极结构：Ni barrier (抗硫化)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　包装形式：卷带（Tape and Reel）
　　RoHS合规性：符合

CL10B562JB8NNNC采用X7R型陶瓷介质材料，具备优异的温度稳定性，在-55°C到+125°C范围内，电容变化率不超过±15%，能够满足大多数工业级和消费类电子产品的使用需求。这种材料在频率响应方面表现良好，相较于Y5V等材料，其电容随电压和频率的变化更小，因此更适合用于对稳定性要求较高的滤波和耦合电路中。该器件的5.6nF电容值和±5%的精度使其能够在需要精确电容匹配的应用中发挥作用，例如定时电路或LC谐振网络。其50V的额定电压提供了足够的安全裕度，适用于3.3V、5V或12V电源系统的去耦应用，即使在瞬态电压波动下也能保持可靠性。
　　该MLCC采用0805（2.0mm x 1.25mm）的小型化封装，在保证一定机械强度的同时实现了高空间利用率，适合高密度PCB布局。其内部采用多层叠层结构，由数十甚至上百层陶瓷与内电极交替堆叠烧结而成，从而在小体积下实现较高的电容值。电极采用镍障层（Ni-barrier）技术，外层通常镀有锡，不仅增强了焊接可靠性，还显著提升了器件在含硫环境中的抗硫化能力，防止因银离子迁移导致的短路失效，提高了长期使用的可靠性。
　　CL10B562JB8NNNC支持无铅回流焊工艺，兼容JEDEC Level 1的湿度敏感等级要求，适用于自动化SMT生产线。其卷带包装形式便于贴片机供料，提升生产效率。此外，该器件无磁性，不会对周边高频电路造成干扰，适用于射频和高速数字系统中的噪声抑制。整体而言，这款MLCC结合了小型化、高可靠性、良好温度特性和环保合规性，是现代电子产品中理想的被动元件选择。

CL10B562JB8NNNC广泛应用于各类电子设备中，作为去耦电容用于集成电路的电源引脚，有效滤除高频噪声，稳定供电电压，提高系统抗干扰能力。在模拟信号链路中，它可用于交流耦合和直流阻断，确保信号的纯净传输，常见于音频放大器、传感器接口和ADC/DAC前端电路中。此外，该器件也适用于LC滤波器、RC定时电路以及谐振电路中，凭借其稳定的X7R特性，保障电路参数的一致性。在工业控制设备、家用电器主板、通信模块（如Wi-Fi、蓝牙模块）、电源管理单元和汽车电子（非动力系统）中均有广泛应用。其抗硫化设计特别适合部署在空气质量较差或存在硫化物污染的工业环境中，例如工厂自动化设备或户外监控系统。同时，由于其符合RoHS标准且支持自动化贴装，成为大批量电子产品制造中的优选元件。

GRM21BR71H562KA01L
　　CL10B562KB8NNNC
　　C2012X7R1H562K