型号：CL10B471KB8NNNL
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　电容：470pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，电容变化率不超过±15%）
　　封装尺寸：0603（1.6mm × 0.8mm）
　　介质类型：Class 2, X5R
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　直流偏压特性：在额定电压下，电容值会随电压上升而下降，符合X5R材料典型行为
　　老化特性：X5R材料存在电容老化现象，通常为每10年约2.5%的电容减少
　　端接类型：镍阻挡层/锡外涂层（Ni-Sn），适用于SMT回流焊
　　产品系列：CL10B
　　包装形式：卷带包装（Tape and Reel）

CL10B471KB8NNNL所采用的X5R陶瓷介质赋予其优异的温度稳定性和相对较高的介电常数，使其能够在较宽的工作温度范围内保持电容值的稳定性。具体而言，在-55°C到+85°C之间，电容的变化幅度控制在±15%以内，这一性能远优于其他如Y5V等低稳定性介质材料，因此更适合用于对电容稳定性有一定要求的应用场景。
　　该器件的Class 2分类意味着它不具备Class 1陶瓷电容器那样的零温度系数和线性频率响应，但其更高的介电常数使得在相同封装尺寸下可实现更大的标称电容值，从而显著提升空间利用率。对于诸如电源去耦、中频滤波和信号耦合等非关键定时电路来说，这种折衷是完全可以接受的。
　　CL10B系列设计优化了直流偏压效应，尽管所有高介电常数陶瓷电容都会随着施加直流电压而出现有效电容下降的现象，但三星通过材料配方和内部电极结构的设计改进，尽可能减缓了这一趋势。例如，在施加接近额定电压50V时，实际可用电容仍能维持在初始值的70%-80%左右，这对于确保去耦效果至关重要。
　　此外，该元器件具备良好的抗湿性和耐焊接热冲击能力，经过严格的JEDEC标准测试验证，可在多次回流焊过程中保持结构完整性和电气性能稳定。其端子采用双层金属化结构——内层为铜或镍作为阻挡层，外层为可焊性良好的纯锡，既防止了银迁移问题，又保证了与无铅焊料的良好润湿性。
　　整体上，CL10B471KB8NNNL结合了小型化、高可靠性与成本效益的优势，成为众多工业级和消费级应用中的优选MLCC之一。

CL10B471KB8NNNL因其小尺寸、适中耐压和良好温度稳定性，被广泛应用于多种电子系统中。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容器常用于电源轨的去耦，以抑制高频噪声并稳定IC供电电压，特别是在处理器、内存模块和射频前端芯片附近发挥关键作用。
　　在通信基础设施领域，包括路由器、交换机和基站模块，该器件可用于中频滤波网络或差分信号路径中的交流耦合电路，利用其稳定的电容特性和较低的等效串联电阻（ESR）来保障信号完整性。
　　此外，在电源管理系统中，例如DC-DC转换器的输入输出滤波环节，CL10B471KB8NNNL可以与其他更大容量的电容配合使用，构成多级滤波网络，有效降低纹波电压并提高电源效率。
　　在汽车电子方面，虽然该型号不属于AEC-Q200认证的车规级产品，但在非安全相关的车载信息娱乐系统或辅助控制单元中仍有应用实例。
　　工业控制设备、传感器接口电路以及嵌入式微控制器系统也普遍采用此类元件进行局部储能和噪声抑制。总之，只要工作条件不超过其额定参数且无需极端精度的定时功能，CL10B471KB8NNNL都是一种可靠且经济的选择。

GRM188R71H471KA01D
　　C1608X5R1H471K
　　CL10B471KB8NNNC
　　CC0603KRX5R7BB471
　　EMK107BBL471KB-T