型号：CL10B331KB8NFNC
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0402 (1.0mm x 0.5mm)
　　电容值：330pF
　　电容公差：±10%
　　额定电压：50VDC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：电容变化 ≤ ±15% (-55°C 至 +125°C)
　　端电极结构：Ni/Sn（镍阻挡层/锡镀层）
　　包装形式：卷带（Tape and Reel）
　　产品系列：CL Series
　　符合标准：RoHS, 无铅
　　ESR（典型值）：低
　　绝缘电阻：≥ 1000MΩ 或 C·V ≥ 10000Ω·F
　　耐湿性：符合IEC 60068-2-30等国际标准

CL10B331KB8NFNC所采用的X7R型陶瓷介质赋予了该电容器卓越的温度稳定性与可靠的电气性能。X7R是一种以钛酸钡为基础的铁电材料，具有较高的介电常数，能够在较小封装内实现相对较大的电容值，同时在-55°C到+125°C的宽温区间内将电容值的变化幅度控制在±15%以内。这一特性使得该器件非常适合应用于对电容稳定性有较高要求但又无法使用体积更大或成本更高的C0G/NP0类电容器的场合。在实际应用中，即便环境温度发生剧烈波动，例如在汽车电子引擎舱附近或工业设备高温运行条件下，CL10B331KB8NFNC仍能维持较为稳定的阻抗特性和滤波效果，避免因电容漂移导致系统性能下降。此外，该电容器具备良好的电压稳定性，在接近额定电压50VDC的工作状态下，其有效电容值下降幅度远小于Z5U或Y5V等低等级介质材料的产品。这保证了在电源去耦应用中即使电压波动也能提供持续有效的储能和平滑作用。由于其0402微型封装，CL10B331KB8NFNC拥有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而在高频下表现出优异的噪声抑制能力，适用于高达数百MHz的去耦频率范围。结构上，该器件采用多层叠膜工艺制造，内部由数十至上百层交错排列的陶瓷介质与内电极构成，显著提升了机械强度和抗热冲击能力。其端电极为Ni/Sn体系，具备良好的可焊性和长期可靠性，支持回流焊工艺，并能有效防止焊料侵蚀和银迁移问题。整体设计满足AEC-Q200等可靠性标准的部分要求，适合用于消费类电子产品、通信模块、电源管理单元以及各类嵌入式控制系统。
　　

CL10B331KB8NFNC因其小尺寸、高稳定性和适中的电容电压组合，被广泛应用于多种电子系统中。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它常用于处理器核心电源的去耦网络，为高速数字电路提供瞬态电流支持并滤除高频噪声。在电源管理系统中，该电容器可用于DC-DC转换器的输入输出滤波环节，配合电感和其他元件组成LC滤波器，以降低纹波电压并提升电源效率。此外，在射频（RF）前端模块和无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）中，CL10B331KB8NFNC可作为旁路电容连接至射频IC的供电引脚，有效隔离干扰信号并提高信号完整性。工业控制设备中的微控制器单元（MCU）、传感器接口和数据采集系统也普遍采用此类电容进行局部去耦和信号耦合，确保系统在复杂电磁环境中稳定运行。在汽车电子领域，尽管非车规级版本不直接用于关键安全部件，但仍可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性有一定要求但无需通过AEC-Q200全面认证的应用场景。此外，医疗电子设备、测试测量仪器以及物联网终端设备中，该型号凭借其一致的性能表现和大批量供货能力，成为工程师常用的被动元件之一。由于其兼容自动贴片生产线且焊接良率高，CL10B331KB8NFNC特别适合大规模SMT生产工艺，有助于降低制造成本并提升产品一致性。

GRM155R71H331KA01D
　　CC0402KRX7R9BB331
　　C1005X7R1H331K