制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　产品系列：CL10B
　　电容：220pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/尺寸：0603（1608公制）
　　介质材料：Class Ⅱ, X7R
　　电极结构：Ni-barrier (抗硫化)
　　安装类型：表面贴装(SMD)
　　包装形式：卷带包装
　　符合标准：RoHS, AEC-Q200（视具体批次而定）

CL10B221KB8NFNC所采用的X7R陶瓷介质属于Class Ⅱ型铁电材料，具有较高的介电常数，能够在较小的物理尺寸下实现相对较大的电容值。这种材料在宽温度范围内表现出稳定的电容性能，在-55°C到+125°C之间，电容的变化不超过初始值的±15%，这使其非常适合用于对温度稳定性有一定要求但不需要NP0/C0G级别超高精度的应用场景。X7R电容器虽然存在一定的电压系数效应（即施加直流偏压时电容会下降），但在多数中等精度滤波和去耦应用中仍可接受。该器件的50V额定电压使其能够应用于多种电源轨的去耦设计，例如3.3V、5V甚至12V系统，具备良好的安全裕度。
　　该电容器采用0603小型化封装，体积紧凑，有助于提高PCB布局密度，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及小型化模块等空间受限的产品。同时，其Ni-barrier电极结构设计有效防止了银电极在含硫环境中发生迁移和腐蚀，显著提升了器件在高湿、高温和污染工业或汽车环境中的长期可靠性。这一特性使得CL10B221KB8NFNC不仅适用于消费类电子产品，也广泛用于车载信息娱乐系统、传感器模块和车身控制单元等严苛应用场景。
　　从生产工艺角度看，三星电机采用先进的叠层共烧技术，确保每一层陶瓷介质与内电极之间的结合致密均匀，从而降低缺陷率并提升整体良品率。该器件支持回流焊工艺，兼容无铅焊接流程，峰值温度可达260°C，符合现代绿色制造的要求。此外，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性使其在高频去耦应用中表现良好，能有效抑制噪声和瞬态电压波动，保障IC供电稳定。综合来看，CL10B221KB8NFNC凭借其稳定的电气性能、小型化封装和高可靠性，成为众多电子设计工程师在中等精度、宽温域应用中的首选MLCC之一。

CL10B221KB8NFNC广泛应用于各类电子设备中，作为关键的无源元件承担着去耦、滤波、旁路和信号耦合等功能。在数字电路中，它常被用作微处理器、FPGA、ASIC等高速芯片的电源去耦电容，放置在电源引脚附近以滤除高频噪声，稳定供电电压，防止因电流突变引起的电压跌落或振荡。由于其50V的耐压能力，也可用于中低压电源系统的滤波环节，如DC-DC转换器输出端的平滑滤波，帮助减少纹波电压，提高电源质量。
　　在模拟电路中，该电容器可用于RC滤波网络、积分器、定时电路以及交流耦合节点，实现信号隔离与频率选择功能。在射频（RF）电路中，尽管X7R材料的Q值低于C0G/NP0类型，但仍可用于非关键路径的偏置网络或阻抗匹配电路，尤其是在成本与尺寸敏感的设计中更具优势。此外，该器件因其良好的温度稳定性和抗环境应力能力，被广泛应用于汽车电子领域，包括发动机控制单元（ECU）、车载摄像头、雷达传感器和车载充电器等模块，在这些系统中需承受剧烈温变和振动，因此对抗硫化和长期可靠性有较高要求。
　　工业控制设备如PLC、变频器、传感器接口电路也大量使用此类电容器进行信号调理和电源净化。在通信基础设施中，基站模块、光模块和网络交换设备同样依赖CL10B系列MLCC来维持信号完整性。随着电子产品向轻薄化发展，0603尺寸的高可靠性电容需求持续增长，CL10B221KB8NFNC凭借其成熟的技术平台和稳定的供应链，已成为许多OEM厂商的标准选型之一。

GRM188R71H221KA12D
　　CC0603KRX7R9BB221
　　C1608X7R1H221K080AE
　　LL-SIL0603X7R50V221K