时间：2025/11/13 10:11:50
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CL10A226MQ8NUNE是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高介电常数的X5R型陶瓷电容，具备较高的体积效率，广泛应用于各类消费类电子产品和工业电子设备中的去耦、滤波及旁路电路。该型号采用标准的0603（公制1608）封装尺寸，适用于表面贴装技术（SMT），能够在有限的PCB空间内提供较大的电容量。CL10A226MQ8NUNE的标称电容值为22μF，额定电压为6.3V DC，具有较低的等效串联电阻（ESR）和良好的频率响应特性，适合在中低功率电源管理电路中使用。由于采用了先进的叠层陶瓷制造工艺，该电容器具备良好的机械强度和热稳定性，可在较宽的环境温度范围内可靠工作。此外，该产品符合RoHS环保要求，无铅且兼容无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品的设计需求。
电容值：22μF
额定电压：6.3V DC
电容容差：±20%
温度特性：X5R (±15% @ -55°C 至 +85°C)
封装尺寸：0603 (1608 公制)
工作温度范围：-55°C ~ +85°C
介质类型：高介电常数陶瓷（Class II, X5R）
直流偏压特性：在6.3V偏压下，有效电容可保持约初始值的60%~70%
ESR（等效串联电阻）：典型值低于10mΩ（频率相关）
绝缘电阻：≥50MΩ 或 ≥1000Ω·F（取较大者）
耐焊热性：符合J-STD-020标准，适用于回流焊工艺
CL10A226MQ8NUNE作为三星高端MLCC系列的一员，采用了先进的陶瓷材料与电极叠层技术，在微型化封装中实现了高达22μF的电容量输出，显著提升了单位体积的储能密度。其X5R陶瓷介质具有相对稳定的温度特性，能够在-55°C至+85°C的宽温范围内保持电容值变化不超过±15%，这对于许多对稳定性要求适中的电源去耦应用而言是理想选择。尽管Class II介质存在一定的直流偏压效应——即随着施加电压接近额定值，实际可用电容会下降，但该型号通过优化内部电极结构和介质配方，尽可能减缓了这一效应的影响，在6.3V工作电压下仍能保留约60%以上的标称电容，确保在低压大容量应用场景下的有效性。
该器件的0603小型化封装不仅节省PCB空间，还具备良好的高频响应能力，使其非常适合用于便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类嵌入式系统中的电源轨旁路和噪声抑制。其低ESR特性有助于减少纹波电压并提高电源转换效率，尤其适用于与DC-DC转换器、LDO稳压器配合使用。此外，该电容器具备优异的抗热冲击性能，能够承受多次无铅回流焊过程而不损坏，保证了SMT生产的良率。产品不含重金属和有害物质，符合RoHS、REACH等环保规范，并通过AEC-Q200等可靠性认证的部分测试项目，适用于对品质有较高要求的应用场景。
CL10A226MQ8NUNE广泛应用于需要中等容量滤波和去耦功能的电子电路中，典型用途包括移动通信设备的电源管理模块，例如手机主板上的CPU或GPU供电路径中作为输入/输出滤波电容；在便携式消费电子产品如TWS耳机、智能手表中用于稳定低压差线性稳压器（LDO）的输出；也可用于各类物联网终端节点、传感器模块、Wi-Fi/BT模组的电源去耦网络。此外，该器件适用于工业控制板、医疗电子设备、智能家居控制器等对空间布局敏感且需兼顾一定电容值的场合。在DC-DC降压或升压转换电路中，它常被用作输入旁路电容以吸收瞬态电流波动，或作为输出端的储能元件来平滑输出电压纹波。由于其具备较好的温度稳定性和机械可靠性，也适合部署在环境条件较为复杂的嵌入式系统中。需要注意的是，由于其为Class II介质材料，不建议用于对电容稳定性要求极高或涉及精密定时的电路中，例如振荡器匹配或模拟积分电路。
GRM188R71E226KA01D
C1608X7R1E226M
CL10A226MP8NNPC
LCML1608R1E226MCN
