时间：2025/7/26 0:26:16
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BGT5624.03BA-4 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）制造的双极性晶体管（BJT），属于射频（RF）晶体管类别。该器件专为高频应用设计，适用于通信系统、无线基础设施和工业设备中的信号放大功能。BGT5624.03BA-4 采用了先进的硅技术，具有高增益和低噪声性能，适合在高频率下工作的电路。
类型：双极性晶体管（BJT）
封装类型：TO-243AA
晶体管配置：共射极
最大集电极电流（IC）：500 mA
最大集电极-发射极电压（VCE）：15 V
最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
最大功耗：1.8 W
频率范围：1.8 GHz - 2.4 GHz
增益（hFE）：在特定工作点下典型值为 50-100
噪声系数：典型值为 1.8 dB
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
BGT5624.03BA-4 拥有出色的射频性能，使其成为高频应用的理想选择。其低噪声系数确保在接收信号时保持信号完整性，从而提高整体系统性能。该器件的高增益特性在放大器电路中表现出色，减少了对额外放大阶段的需求，简化了设计复杂性。此外，其紧凑的封装形式有助于节省电路板空间，并提供良好的热管理性能。由于采用了可靠的硅技术，BGT5624.03BA-4 在高频下仍然保持稳定的工作特性，适合用于苛刻的环境条件。这种晶体管还具有良好的线性度和失真控制能力，非常适合用于要求高信号保真的应用，例如蜂窝基站和无线接入点设备。
BGT5624.03BA-4 主要用于射频和微波通信系统中，例如蜂窝网络基站、Wi-Fi接入点、无线基础设施设备以及工业控制系统。该晶体管还适用于低噪声放大器（LNA）设计、混频器、振荡器以及射频功率放大器。由于其高频率性能，该器件广泛应用于无线通信、雷达系统和测试测量设备中。
BFG5624W、BFR5624、BFQ5624
