时间：2025/11/11 10:10:07
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CL05X105KA5NQNC是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷贴片电容（MLCC）。该器件属于高介电常数的X5R陶瓷材料体系，具有稳定的电容特性与较高的体积效率，广泛应用于各类消费电子、通信设备及工业控制电路中。CL05是其封装尺寸代码，对应于公制尺寸0402（1.0mm x 0.5mm），适合高密度表面贴装工艺。该电容标称电容值为1μF（105表示1×10^5 pF = 1,000,000 pF = 1μF），额定电压为10V，电容容差为±10%（K级），工作温度范围为-55°C至+85°C，在此范围内其电容变化率不超过±15%（符合EIA X5R标准）。
这款MLCC采用镍阻挡层和薄层叠结构设计，具备良好的抗热冲击性和焊接可靠性，适用于回流焊工艺。其小型化封装使其在智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求严苛的应用中尤为受欢迎。此外，CL05X105KA5NQNC符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品绿色制造的要求。由于其优异的高频响应特性和较低的等效串联电阻（ESR），它常被用作电源去耦、旁路滤波以及DC-DC转换器中的储能元件。
需要注意的是，陶瓷电容器的电容值会随施加电压、温度和老化时间而变化，尤其是使用高介电常数介质如X5R/B类材料时更为明显。因此，在实际应用中应考虑直流偏压效应的影响——即当施加接近额定电压的直流偏置时，有效电容值可能显著下降。为此，建议在关键设计中参考制造商提供的直流偏压曲线进行降额设计，以确保系统稳定性。
型号：CL05X105KA5NQNC
制造商：Samsung Electro-Mechanics
封装/尺寸：0402 (CL05)
电容值：1μF (105)
容差：±10% (K)
额定电压：10V DC
介质材料：X5R
工作温度范围：-55°C 至 +85°C
电容温度特性：±15% (X5R)
安装类型：表面贴装(SMD)
层数结构：多层陶瓷
端子类型：镍阻挡层，无铅可焊端
符合标准：RoHS, REACH
CL05X105KA5NQNC采用先进的多层陶瓷电容器（MLCC）制造工艺，内部由数十至数百层交替排列的陶瓷介质与内电极构成。其使用的X5R型陶瓷介质属于II类高介电常数材料，能够在较小体积下实现较大的电容容量，显著提升单位体积的能量存储效率。这种材料在-55°C到+85°C的宽温范围内保持相对稳定的电容性能，电容值变化不超过±15%，适合大多数非精密但需要稳定性的应用场景。同时，该器件的0402封装尺寸仅为1.0mm × 0.5mm，厚度通常小于0.55mm，极大节省了PCB布板空间，特别适用于高集成度便携式电子产品。
该电容具备优良的高频响应能力，尽管其等效串联电感（ESL）略高于更小封装的产品（如0201），但在大多数电源去耦场景中仍能提供有效的噪声抑制作用。配合低等效串联电阻（ESR）特性，使得其在开关电源输出滤波、IC供电引脚旁路等方面表现良好。此外，得益于镍阻挡层结构的设计，该产品具有较强的抗金属迁移能力和高温耐久性，长期工作条件下不易发生短路失效。
在机械与热性能方面，CL05X105KA5NQNC表现出良好的抗热冲击性，能够承受多次无铅回流焊过程而不损坏。其结构经过优化，减少了因PCB弯曲或热膨胀差异导致的裂纹风险。然而，作为陶瓷器件，仍需注意避免剧烈机械应力或跌落冲击，以防产生微裂纹进而引发潜在故障。总体而言，该器件在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是现代电子设计中常用的通用型去耦电容之一。
CL05X105KA5NQNC因其紧凑的0402封装和适中的电容电压组合，广泛应用于各类高性能、小体积电子产品中。最常见的用途是在数字集成电路（如处理器、FPGA、ASIC）的电源引脚附近作为去耦电容，用于平滑瞬态电流波动并抑制高频噪声，从而保障芯片稳定运行。在移动设备如智能手机和平板电脑中，该电容常出现在PMU（电源管理单元）、射频模块和传感器供电路径中，承担局部储能与滤波功能。
在DC-DC降压或升压转换电路中，该电容也常被用作输入和输出滤波元件，帮助降低纹波电压，提高电源转换效率。虽然单颗1μF/10V的容量不足以单独承担大电流输出滤波任务，但通过并联多个同类或不同容值电容，可以构建宽频段滤波网络，覆盖从低频到高频的干扰成分。
此外，该器件还适用于各种消费类电子设备，如TWS耳机、智能手表、路由器、机顶盒等，用于模拟与数字混合信号系统的电源隔离、信号耦合及噪声旁路。在工业控制和汽车电子（非动力域）中，只要工作条件在其温度与电压规格范围内，也可选用该型号进行一般性滤波处理。考虑到其X5R介质的直流偏压敏感性，不建议将其用于需要精确电容值维持的定时、振荡或精密滤波电路中。
GRM155R71A105KA01D
