时间：2025/6/20 19:53:16
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SAK-TC1767-256F133HRAD 是一款高可靠性、抗辐射的SRAM（静态随机存取存储器）芯片，专为航天、军事和其他需要极端环境适应能力的应用设计。该芯片具有低功耗和快速访问时间的特点，能够在恶劣环境下提供稳定的数据存储和读写功能。
该器件采用先进的CMOS工艺制造，具备出色的抗单粒子翻转（SEU）能力，适合于对数据完整性要求极高的场合。
存储容量：256K x 18
数据宽度：18位
访问时间：133 MHz
工作电压：1.8V ± 0.1V
封装形式：Cerquad
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
抗辐射剂量：高达100 krad (Si)
抗单粒子翻转能力：符合 MIL-STD-750 和 MIL-STD-883 测试标准
这款 SRAM 芯片的主要特性包括：
1. 高速运行性能，支持高达133 MHz的操作频率。
2. 极低的静态电流消耗，能够有效降低整体功耗。
3. 强大的抗辐射能力，使其在太空环境中表现出色。
4. 广泛的工作温度范围，适用于极端气候条件下的操作。
5. 符合军用标准，通过严格的测试流程确保可靠性。
6. 支持异步读写操作，简化系统设计。
7. 内置奇偶校验功能以增强数据传输的准确性。
SAK-TC1767-256F133HRAD 的典型应用领域包括：
1. 航天电子设备，如卫星、宇宙飞船和深空探测器中的数据处理单元。
2. 军事通信和雷达系统中的高速缓存模块。
3. 核工业中的控制与监测系统。
4. 医疗成像设备中需要高可靠性的存储组件。
5. 工业自动化领域中的关键任务处理器缓存。
6. 其他需要抗辐射和高可靠性的特殊应用环境。
SAK-TC1767-256F100HRAD
SAK-TC1767-256F133MRAD
