时间：2025/12/26 3:28:31
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CL03JT56N是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC，Multilayer Ceramic Capacitor）。该器件属于小型化、高稳定性的表面贴装电容，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、计算机及外围设备等对空间和可靠性要求较高的领域。CL03系列采用先进的陶瓷材料与制造工艺，具有良好的电性能稳定性、低损耗以及优异的温度特性，适用于高频电路中的去耦、滤波、旁路和信号耦合等应用场景。其封装尺寸为0201（0.6mm x 0.3mm），适合高密度PCB布局需求。
该型号的命名遵循三星的标准编码规则：'CL'代表陶瓷电容，'03'表示0201封装尺寸（英制代码），'J'代表±5%的容差等级，'T'表示编带包装形式，'56N'则对应标称电容值为5.6pF。CL03JT56N通常采用X7R或C0G/NP0类介质材料，具备较好的温度稳定性和电压系数表现，能够在较宽的工作温度范围内保持电容值的稳定。由于其微型化设计和高可靠性，该器件在智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及射频模块中得到了广泛应用。
型号：CL03JT56N
制造商：Samsung Electro-Mechanics
封装/尺寸：0201 (0.6mm x 0.3mm)
电容值：5.6 pF
容差：±5%
额定电压：50V DC
介质材料：C0G (NP0)
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度特性：0 ±30ppm/°C
直流偏压特性：无明显变化
ESR（等效串联电阻）：极低
ESL（等效串联电感）：极低
安装类型：表面贴装（SMD）
包装形式：卷带（Taping）
CL03JT56N采用C0G（NP0）陶瓷介质材料，这是目前最稳定的电容器介质之一，能够在整个工作温度范围内保持极其稳定的电容值，其温度系数为0±30ppm/°C，意味着在-55°C到+125°C之间电容值几乎不随温度变化而漂移。这种高度的热稳定性使其特别适用于对频率稳定性要求极高的电路，如振荡器、谐振电路、滤波器和射频匹配网络。此外，C0G介质还表现出优异的电压无关性，即使在接近额定电压下工作，电容值也不会发生显著下降，这与X7R或Y5V类介质形成鲜明对比。
该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频应用中表现出色。在GHz级别的射频电路中，低ESL能够有效减少寄生效应，提高去耦效率，从而增强系统的电磁兼容性（EMC）性能。同时，低ESR有助于降低功耗和发热，提升整体能效。CL03JT56N的结构采用多层堆叠技术，在微小的0201封装内实现可靠的电气连接，具备良好的机械强度和抗热冲击能力。
由于其小型化设计（仅0.6mm×0.3mm），CL03JT56N非常适合用于高密度印刷电路板（PCB）布局，尤其在空间受限的便携式电子设备中具有明显优势。它支持自动化贴片工艺，兼容回流焊流程，并能在严苛的环境条件下长期稳定运行。该电容无磁性，不会干扰周边敏感电路，适用于高精度模拟和高速数字系统。综合来看，CL03JT56N是一款高性能、高可靠性的微型MLCC，适用于对稳定性、尺寸和高频响应有严格要求的应用场景。
CL03JT56N因其卓越的温度稳定性和高频性能，被广泛应用于各类高端电子设备中。在无线通信领域，常用于射频前端模块（RF Front-End Modules）、功率放大器（PA）偏置电路、天线调谐网络以及阻抗匹配电路中，确保信号传输的稳定性和效率。在时钟和定时电路中，该电容可用于晶体振荡器（Crystal Oscillators）或SAW滤波器的负载电容配置，提供精确且不受温度影响的电容值，保障频率精度。
在高速数字系统中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，CL03JT56N常作为高频去耦电容使用，放置在处理器、内存芯片或电源管理单元（PMU）附近，有效滤除高频噪声，稳定供电电压，防止因电源波动引起的误操作或信号失真。其0201的小型封装使得在紧凑PCB布局中可以密集布置多个去耦电容，提升系统整体的电源完整性（Power Integrity）。
此外，该器件也适用于精密模拟电路，例如运算放大器反馈网络、ADC/DAC参考电压旁路、传感器信号调理电路等，其中电容值的长期稳定性和低噪声特性至关重要。工业控制、汽车电子（非动力系统部分）以及医疗电子设备中也有应用，特别是在需要长期可靠运行且环境温度变化较大的场合。得益于其高可靠性和成熟的制造工艺，CL03JT56N也是许多OEM厂商在产品小型化升级过程中的首选电容型号之一。
GRM0335C1H560JA01D
