时间：2025/11/13 16:58:11
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CL03C160GA3GNNC是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于小尺寸、高精度的表面贴装电容器，广泛应用于消费电子、通信设备、计算机及工业控制等领域。CL03C系列采用标准的0201英寸（0.6mm x 0.3mm）封装尺寸，适合高密度PCB布局和自动化贴片工艺。该型号的温度特性符合X7R（±15%），额定电压为50V，标称电容值为16pF，在高频电路中表现出良好的稳定性和低损耗特性。作为一款通用型去耦、旁路和滤波电容，CL03C160GA3GNNC在电源管理、射频匹配网络以及信号完整性设计中发挥重要作用。其结构采用镍阻挡层电极（Ni-barrier）技术，提升了耐热循环性能和长期可靠性，适用于无铅回流焊工艺。此外，该产品符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的要求。
尺寸：0201 (0.6mm x 0.3mm)
电容值：16pF
容差：±2%
额定电压：50V DC
温度特性：X7R (±15%)
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
电极结构：Ni-barrier（镍阻挡层）
安装方式：表面贴装（SMD）
端接：镍阻挡层 + 锡镀层
符合RoHS：是
CL03C160GA3GNNC具备优异的电气稳定性与机械可靠性，适用于高频及高温工作环境。其X7R陶瓷介质确保在宽温度范围内（-55°C至+125°C）电容值变化不超过±15%，适合需要温度稳定性的应用场景。该电容器采用先进的叠层工艺制造，具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），从而在高频去耦和噪声滤波中表现卓越。特别地，其0201小型化封装极大节省了PCB空间，支持高密度集成设计，适用于智能手机、可穿戴设备、平板电脑等紧凑型电子产品。
Ni-barrier电极结构是该器件的一大亮点，相较于传统铜电极，镍阻挡层有效防止了高温下金属离子迁移和氧化问题，显著提高了产品的耐热冲击能力和长期使用寿命。这一特性使其能够在多次无铅回流焊接过程中保持结构完整，避免裂纹或分层缺陷。同时，该结构增强了器件对潮湿环境的抵抗力，提升了整体可靠性。
此外，CL03C160GA3GNNC具有良好的直流偏压特性，在施加接近额定电压的直流偏置时仍能维持较高的有效电容值，这对于电源轨附近的去耦应用至关重要。其稳定的频率响应使其可用于射频电路中的阻抗匹配、谐振回路和滤波网络。生产过程遵循严格的品质控制体系，确保批次一致性与高良率。整体而言，该MLCC结合了小型化、高性能与高可靠性，是现代电子系统中不可或缺的基础元件之一。
主要用于移动通信设备中的射频模块滤波与匹配电路；用于数字集成电路的电源去耦和噪声抑制；适用于高密度主板上的信号耦合与旁路设计；应用于便携式消费类电子产品如智能手机、TWS耳机、智能手表等的空间受限场景；也可用于计算机外围设备、传感器模块及工业控制板卡中的高频模拟信号处理路径。
GRM033R7U1H160CA01#
