时间：2025/6/17 17:07:49
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CKC21X563KWGAC7210 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换和控制的领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，从而显著降低了功耗并提升了系统效率。
该型号属于特定厂商定制系列，通常用于高可靠性工业和汽车应用环境，能够承受恶劣的工作条件，并具有良好的热稳定性和抗电磁干扰能力。
类型：功率MOSFET
极性：N沟道
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ
Id（持续漏极电流）：110A
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷（Qg）：75nC
反向恢复时间（trr）：90ns
CKC21X563KWGAC7210 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效降低传导损耗。
2. 快速开关速度，支持高频操作，适合现代高效电源设计。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常情况下的耐用性。
4. 热增强型封装，提升散热性能以适应高功率应用场景。
5. 符合AEC-Q101标准，适用于汽车级应用。
6. 内置ESD保护电路，提高系统的可靠性和抗静电能力。
7. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下仍能稳定运行。
CKC21X563KWGAC7210 适用于以下应用领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电机驱动控制器。
4. 工业自动化设备中的伺服驱动和逆变器。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关产品。
6. 各种大功率负载开关和保护电路。
CKC21X563KWGAC7320, IRFP2907, STP110N06L
