CKC21X512KWGAC7800 是一款高性能、低功耗的 SRAM 存储芯片,广泛应用于工业控制、通信设备及嵌入式系统中。该芯片采用先进的制造工艺,在保证高可靠性和稳定性的同时,具备快速存取和大容量数据存储的能力。
这款 SRAM 芯片支持同步突发模式操作,具有极高的数据吞吐量,能够满足现代电子系统对高速数据处理的需求。
存储容量:512K x 16 bits (1MB)
工作电压:3.3V ± 0.3V
访问时间:10ns/15ns
数据宽度:16位
封装形式:TQFP-100
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
I/O 标准:LVTTL
引脚数:100
CKC21X512KWGAC7800 提供了卓越的性能表现,其主要特点包括:
1. 高速数据访问能力,适合实时性要求较高的应用环境。
2. 支持多种时钟模式,便于与不同类型的处理器或控制器进行接口设计。
3. 内置自动功率管理功能,有效降低能耗。
4. 具备高度可靠的错误检测机制,保障数据完整性。
5. 工业级的工作温度范围,确保在恶劣环境下也能正常运行。
6. 引脚兼容性强,简化升级和替换流程。
CKC21X512KWGAC7800 主要用于需要高速缓存和临时数据存储的应用场景,例如:
1. 工业自动化设备中的控制单元。
2. 网络路由器、交换机等通信设备的数据缓冲。
3. 医疗设备中的图像处理模块。
4. 嵌入式计算平台的暂存存储器。
5. 测试测量仪器的数据采集部分。
由于其高可靠性和宽温特性,该芯片特别适合对环境适应性有严格要求的领域。
CY7C1041DV33, IS61WV51216BLL-10