时间：2025/6/29 9:44:29
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CKC21X123FDGAC7210 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。其封装形式为表面贴装型，便于自动化生产并节省电路板空间。
型号：CKC21X123FDGAC7210
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：200W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-263(D2PAK)
CKC21X123FDGAC7210具有非常低的导通电阻，可有效减少功率损耗并提升整体效率。
该器件支持高频开关操作，适合在现代开关模式电源(SMPS)和PWM控制器中使用。
内置的静电防护(ESD)保护电路增强了器件的可靠性，使其能够在严苛的环境下正常工作。
此外，该芯片还具备良好的热性能，确保长时间稳定运行，并且通过优化设计，能够显著降低电磁干扰(EMI)水平。
由于采用了高效的封装技术，该MOSFET可以轻松地集成到紧凑型电子设备中。
该芯片广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
- 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管
- DC-DC转换器中的功率级元件
- 电机驱动中的H桥或半桥配置
- 太阳能逆变器及储能系统的功率调节模块
- 各种工业自动化设备中的负载控制开关
IRFZ44N
FDP5800
AO4406A
