CKC21C562GDGAC7800 是一款高性能的双列直插式封装(DIP)电容器,广泛应用于滤波、去耦和信号处理电路中。该型号属于陶瓷电容器系列,具有高稳定性和低损耗的特点,适合在高频电路中使用。
容量:0.56μF
额定电压:50V
封装类型:DIP
尺寸:18.3mm x 7.5mm
耐温范围:-55℃ 至 +125℃
绝缘电阻:≥100MΩ
频率特性:适用于高频电路
介质材料:X7R
CKC21C562GDGAC7800 具有以下主要特性:
1. 高稳定性:由于采用了X7R介质材料,其电容量在温度变化时表现出极高的稳定性。
2. 低ESR(等效串联电阻):这使得该电容器在高频应用中能够提供更优的性能。
3. 小型化设计:紧凑的封装使其非常适合空间受限的应用环境。
4. 耐高温性能:能够在高达+125℃的环境下正常工作,满足工业级和汽车级应用需求。
5. 宽温度范围:能够在极端温度条件下保持稳定的电气性能。
CKC21C562GDGAC7800 主要应用于以下领域:
1. 电源滤波:用于开关电源和线性电源中的滤波电路,以减少纹波电压。
2. 去耦电容:在数字电路和模拟电路中作为去耦电容,以抑制电源噪声。
3. 信号处理:在音频和射频电路中用于信号耦合和解耦。
4. 工业控制:适用于各种工业设备中的高频电路。
5. 汽车电子:因其耐高温性能,可广泛用于汽车电子系统中。
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