CKC18X393KWGAC7800是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种开关电路中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并减少能量损耗。
这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管,其设计旨在支持高电流应用,并在高频条件下保持优异性能。同时,它具备出色的热稳定性和可靠性,适用于工业、消费电子及汽车领域。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):35A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):180W
工作温度范围(Ta):-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻确保了高效的电流传输,减少了发热问题。
2. 高速开关能力使其非常适合高频PWM控制和DC-DC转换器应用。
3. 内置ESD保护提高了器件在严苛环境下的鲁棒性。
4. 小尺寸封装有助于节省PCB空间,便于小型化设计。
5. 符合RoHS标准,环保无铅材料使用。
6. 在极端温度范围内保持稳定的电气性能。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统的负载开关与电源管理。
4. LED照明驱动中的高效电流控制。
5. 工业自动化设备中的信号隔离和功率传输。
6. 各类电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能实现。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5800