时间：2025/5/28 16:27:03
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CKC18X223GWGAC7800 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于电源管理、电机驱动和开关应用等领域。该芯片具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关速度等特点，能够显著提高电路效率并减少能量损耗。
这款MOSFET采用了先进的制造工艺，优化了沟道结构和封装设计，以确保在高压和大电流环境下的稳定运行。其出色的热性能和可靠性使其成为工业级和消费级电子设备的理想选择。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：0.15Ω（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：160W
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
CKC18X223GWGAC7800 具备以下关键特性：
1. 高击穿电压，可承受高达650V的工作电压，适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，在额定条件下仅为0.15Ω，有效降低导通损耗。
3. 快速开关能力，具备较低的输入和输出电容，支持高频工作环境。
4. 强大的过流保护机制，增强了器件在异常情况下的生存能力。
5. 采用TO-220标准封装，易于集成到各种PCB设计中，同时提供良好的散热性能。
6. 工作温度范围宽广，从-55℃到+150℃，适应极端气候条件下的应用需求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和直流-直流转换器中的主开关元件。
2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS) 系统的关键功率转换组件。
4. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理模块。
5. 各类保护电路，如过流保护、短路保护等。
CKC18X225GWGAC7800, IRF640, FQP14N65
