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MJE15030 发布时间 时间:2025/7/22 10:25:19 查看 阅读:3

MJE15030是一款NPN型高频晶体管,广泛用于射频(RF)和高速开关应用。该晶体管由ON Semiconductor制造,具有优异的高频响应和稳定性,适合用于放大和开关电路。其封装形式为TO-225AA,便于散热和安装。

参数

类型:NPN晶体管
  最大集电极电流(IC):100 mA
  最大集电极-发射极电压(VCE):80 V
  最大集电极-基极电压(VCB):100 V
  最大功耗(PD):300 mW
  最大工作温度:150°C
  封装类型:TO-225AA
  过渡频率(fT):100 MHz

特性

MJE15030晶体管具有出色的高频性能,能够在高达100 MHz的频率下稳定工作,适合高频放大器应用。
  其低噪声系数和高增益特性使其在射频前端电路中表现出色,能够有效放大微弱信号。
  此外,MJE15030具备良好的线性度和稳定性,适用于需要高精度信号放大的场合。
  该晶体管的封装设计有助于有效散热,从而提高其在连续工作条件下的可靠性。
  由于其高频特性和稳定的性能,MJE15030也常用于振荡器、混频器和调制电路中。

应用

MJE15030主要应用于射频放大器、高频振荡器和混频器等高频电路中。
  它也适用于需要高速开关和低噪声放大的场合,如通信设备、测试仪器和工业控制系统。
  在无线通信系统中,MJE15030可以用于射频信号的放大和处理,提高信号质量和传输效率。
  此外,该晶体管也适用于音频放大器中的高频补偿电路,提升音频系统的整体性能。

替代型号

BC547, 2N3904, BFQ54

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MJE15030参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)150V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20 @ 4A,2V
  • 功率 - 最大50W
  • 频率 - 转换30MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称MJE15030OS