CKC18C622MDGAC7800 是一款高性能、低功耗的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM),广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子以及嵌入式系统等领域。该芯片具有高速读写能力,同时保持较低的功耗,适用于需要快速数据访问和可靠存储的应用场景。
其封装形式为 BGA(球栅阵列封装),具有良好的电气性能和散热特性,适合高密度电路板设计。
容量:512K x 18 bits (9Mb)
工作电压:1.7V 至 1.9V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
访问时间:3.5ns (典型值)
封装形式:BGA
引脚数:256
功耗:待机模式下 < 10μW
CKC18C622MDGAC7800 具有以下主要特性:
1. 高速操作:支持高达 286MHz 的时钟频率,确保了快速的数据传输和处理能力。
2. 低功耗设计:在低电压环境下运行,显著降低了系统的整体能耗。
3. 强大的抗干扰能力:内置 ESD 保护电路,提高了芯片的稳定性和可靠性。
4. 简化的电源管理:单电源供电,便于系统集成。
5. 多种省电模式:支持待机和掉电模式,进一步优化功耗表现。
6. 高可靠性:经过严格测试,确保在恶劣环境下的正常工作。
该芯片适用于多种领域,包括但不限于:
1. 工业自动化设备中的数据缓冲和临时存储。
2. 通信基础设施中的高速缓存应用,例如路由器、交换机等。
3. 嵌入式系统中的程序和数据存储。
4. 图形处理器和图像处理系统中的帧缓冲区。
5. 医疗设备中的实时数据记录和处理。
6. 消费电子产品中的高性能存储需求,如游戏机、高清电视等。
CY62256NV30, IS61WV51216BLL-10T, AS6C1008