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CKC18C622MDGAC7800 发布时间 时间:2025/7/9 2:12:14 查看 阅读:7

CKC18C622MDGAC7800 是一款高性能、低功耗的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM),广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子以及嵌入式系统等领域。该芯片具有高速读写能力,同时保持较低的功耗,适用于需要快速数据访问和可靠存储的应用场景。
  其封装形式为 BGA(球栅阵列封装),具有良好的电气性能和散热特性,适合高密度电路板设计。

参数

容量:512K x 18 bits (9Mb)
  工作电压:1.7V 至 1.9V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  访问时间:3.5ns (典型值)
  封装形式:BGA
  引脚数:256
  功耗:待机模式下 < 10μW

特性

CKC18C622MDGAC7800 具有以下主要特性:
  1. 高速操作:支持高达 286MHz 的时钟频率,确保了快速的数据传输和处理能力。
  2. 低功耗设计:在低电压环境下运行,显著降低了系统的整体能耗。
  3. 强大的抗干扰能力:内置 ESD 保护电路,提高了芯片的稳定性和可靠性。
  4. 简化的电源管理:单电源供电,便于系统集成。
  5. 多种省电模式:支持待机和掉电模式,进一步优化功耗表现。
  6. 高可靠性:经过严格测试,确保在恶劣环境下的正常工作。

应用

该芯片适用于多种领域,包括但不限于:
  1. 工业自动化设备中的数据缓冲和临时存储。
  2. 通信基础设施中的高速缓存应用,例如路由器、交换机等。
  3. 嵌入式系统中的程序和数据存储。
  4. 图形处理器和图像处理系统中的帧缓冲区。
  5. 医疗设备中的实时数据记录和处理。
  6. 消费电子产品中的高性能存储需求,如游戏机、高清电视等。

替代型号

CY62256NV30, IS61WV51216BLL-10T, AS6C1008

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CKC18C622MDGAC7800参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥10.46048卷带(TR)
  • 系列KC-LINK
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6200 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定1000V(1kV)
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性低 ESL,高电压,高温
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.061"(1.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-