时间：2025/6/17 7:38:42
阅读：2
CKC18C123FCGAC7800是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。它能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
类型：N沟道 MOSFET
电压等级：650V
导通电阻：120mΩ
连续漏极电流：18A
栅极电荷：35nC
总电容：220pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
CKC18C123FCGAC7800具备以下关键特性：
1. 高耐压能力，支持高达650V的工作电压。
2. 极低的导通电阻（120mΩ），显著减少导通损耗。
3. 快速开关性能，适合高频应用。
4. 良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
5. 小型封装设计，便于集成到紧凑型电路中。
6. 支持宽范围的工作温度，适应各种恶劣环境条件。
这款功率MOSFET适用于多种电力电子场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或升压电路。
3. 电动工具、家用电器等设备中的电机驱动控制。
4. 新能源汽车电池管理系统中的开关组件。
5. 其他需要高效功率切换的应用领域。
CKC18C125FCGAC7800, IRFZ44N, FQP17N65
