类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.7mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

CJU100N03S 具备多项优异特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流工作条件下，导通损耗显著降低，提高了整体系统的效率。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，使得器件在保持小尺寸的同时具备高电流承载能力，适用于紧凑型电源设计。
　　此外，CJU100N03S 具有较高的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能，适用于高功率密度和高可靠性要求的应用场景。
　　该器件还具备快速开关特性，降低了开关损耗，提高了动态响应能力，非常适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。
　　封装方面，TO-263（D2PAK）是一种表面贴装封装形式，便于自动化生产和散热管理，适用于大电流应用中的高效散热需求。

CJU100N03S 广泛应用于各类功率电子系统中。在电源管理领域，该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关控制。
　　在电机驱动系统中，它可作为高边或低边开关，用于控制直流电机或步进电机的运行。
　　此外，CJU100N03S 也适用于电池管理系统（BMS），如电动车、储能系统中的充放电控制电路。
　　在工业自动化设备中，它可用于开关电源、变频器以及高精度电源调节模块。
　　由于其高可靠性和优异的热性能，CJU100N03S 也常见于汽车电子系统、通信电源模块以及LED照明驱动电路中。

SiS100N03, FDS100N03S, IPB100N03S4-01, AON100N03