类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4A（在25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.5Ω（在VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-251/TO-252

CJU04N60B MOSFET具有多项优异特性，首先其高耐压能力（600V）使其适用于中高压功率转换电路，如AC-DC电源适配器、LED驱动电源和工业控制设备。其次，其导通电阻RDS(on)较低，通常小于2.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。CJU04N60B的封装形式（如TO-251或TO-252）具有良好的散热性能，确保在高功率条件下仍能保持稳定工作。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载耐受能力，增强了其在严苛工作环境中的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围宽（通常为10V～15V），兼容标准MOSFET驱动器，便于设计和集成。

CJU04N60B广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、逆变器、LED照明驱动器、家电电源模块以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和良好的导通性能，特别适合用于需要高效率、高稳定性的中功率电源设计。
　　例如，在开关电源中，CJU04N60B可用于主开关管，实现高效能的AC-DC转换；在电机驱动电路中，可作为功率开关用于控制电机的启停与转速；在太阳能逆变系统中，也可作为DC-AC逆变桥的一部分，提升系统整体效率。
　　此外，该器件也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，确保电池在安全范围内工作。

FQP4N60C, STX4N60L, IRF840, 2SK2141