时间：2025/8/17 0:57:56
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CJU04N60A 是一款由华润微电子（China Resources Microelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换系统设计，适用于诸如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器以及电池充电器等应用场景。该MOSFET采用高密度沟槽式技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压的特性，使其在高功率应用中具有优异的性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：4A
最大漏源电压（VDS）：600V
导通电阻（Rds(on)）：≤2.5Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
最大功耗（PD）：30W
封装形式：TO-220、DPAK（表面贴装）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
CJU04N60A 具备多项优良特性，使其在中高压功率应用中表现出色。首先，其600V的高漏源击穿电压允许在高压环境中稳定运行，适用于多种电源拓扑结构。其次，低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统整体效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式制造工艺，提升了芯片的热稳定性和可靠性。
该MOSFET还具备良好的开关特性，包括较快的开关速度和较低的开关损耗，适用于高频开关应用。其热阻较低，能够有效散热，从而延长器件的使用寿命。在封装方面，CJU04N60A 提供了 TO-220 和 DPAK 两种形式，适用于通孔焊接和表面贴装工艺，便于在不同的PCB布局中使用。
另外，该器件具有较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性，能够在突发故障条件下保持稳定工作。其栅极氧化层设计具有较高的可靠性，确保在长期使用中不会出现栅极击穿的问题。
CJU04N60A 主要应用于各类中高压功率转换设备中，如开关电源（SMPS）、适配器、电池充电器、LED驱动电源、DC-DC转换器、电机控制器以及家用电器中的电源模块。此外，它也可用于工业自动化设备、智能电表、UPS不间断电源以及光伏逆变器等系统中。由于其良好的热稳定性和高效率特性，CJU04N60A 在需要高效能和高可靠性的应用中尤为受欢迎。
FQP4N60C, STP4NK60Z, IRF740, 2SK2141
