时间：2025/6/29 6:39:20
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CGA3E2C0G1H220J080AD 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺，主要用于高效率电源转换和电机驱动等应用领域。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能，能够显著提高系统的整体效率和可靠性。
该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列，其设计优化了在高频开关条件下的表现，并能承受较高的瞬态电压，从而适用于严苛的工作环境。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：60V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：120A
导通电阻(R_DS(on))：1.2mΩ
总栅极电荷(Q_g)：75nC
输入电容(C_iss)：4800pF
输出电容(C_oss)：110pF
反向恢复时间(t_rr)：22ns
工作结温范围(T_j)：-55℃ to +175℃
CGA3E2C0G1H220J080AD 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 R_DS(on)，能够有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，具备较低的栅极电荷 Q_g 和反向恢复时间 t_rr，适合高频应用。
3. 高额定电流和耐压能力，支持大功率应用场景。
4. 优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. 提供强大的雪崩能力和抗静电能力，确保在复杂工况下稳定运行。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. 电动车辆和混合动力汽车的电机控制器。
3. 工业自动化设备中的变频器和逆变器。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。
5. 高效 DC-DC 转换器和电池充电解决方案。
6. 大功率 LED 驱动电路和其他需要高性能功率切换的应用场景。
CGA3E2C0G1H220J080AE, CGA3E2C0G1H220J080AF
