CJU03N80是一款由CJ(CJ Corporation)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款晶体管主要用于高电压、高功率的电子电路中,例如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用场景。CJU03N80具有较高的漏极-源极击穿电压,能够在800V的电压下正常工作,同时提供较大的电流承载能力,因此适用于对性能和可靠性有较高要求的工业和消费类电子产品。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):3A
最大漏极-源极电压(VDS):800V
最大栅极-源极电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):典型值为2.5Ω @ VGS = 10V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-92、TO-220等
CJU03N80采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供了较低的导通电阻和较高的开关速度,从而降低了导通损耗和开关损耗。此外,该器件具有优异的热稳定性和耐久性,在高功率工作环境下仍能保持稳定运行。其低栅极电荷特性使其在高频应用中表现出色,有助于提高系统的整体效率。此外,该MOSFET具有良好的雪崩击穿能力和抗过载能力,能够在恶劣的工作条件下提供可靠的性能。
在封装方面,CJU03N80通常提供TO-92和TO-220两种封装形式,适用于不同的安装需求。TO-220封装适用于高功率应用,具备良好的散热能力,而TO-92则适用于空间受限的小型化设计。这种灵活性使得CJU03N80可以在多种应用场景中使用。
CJU03N80广泛应用于电源管理电路、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED照明驱动器、开关电源(SMPS)、负载开关、马达控制以及各种工业自动化设备。其高电压耐受能力和良好的导通性能使其成为高压小功率开关应用的理想选择。此外,由于其具备良好的抗干扰能力和稳定性,该MOSFET也常用于消费类电子产品和工业控制系统中。
KSC2460, BUZ11, IRF840