时间：2025/6/4 1:07:31
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BD5240G-TR是罗姆（ROHM）公司生产的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN1006-2封装，适用于需要高效率和节省空间的应用场合。其低导通电阻特性使其在便携式设备、消费类电子产品以及各类开关应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：0.9A
导通电阻（典型值）：0.8Ω
栅极-源极电压：±10V
功耗：0.36W
工作温度范围：-40℃至+125℃
封装形式：DFN1006-2
BD5240G-TR具有以下显著特点：
1. 低导通电阻设计能够有效减少功率损耗，提升系统效率。
2. 超小型封装DFN1006-2使得其非常适合于空间受限的PCB布局。
3. 工作温度范围宽广，能够在多种环境条件下稳定运行。
4. 高耐压能力，支持最高60V的漏源电压，增强了其应用灵活性。
5. 栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，简化了与控制器或其他IC的接口设计。
BD5240G-TR广泛应用于以下领域：
1. 开关电源及负载开关中的电子开关功能。
2. 各种电池供电的便携式设备，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
3. 消费类电子产品中的背光驱动和电机控制。
4. 需要低功耗和高效能表现的工业控制系统。
5. 信号路径切换及保护电路设计。
BD5230G-TR
