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BD5240G-TR 发布时间 时间:2025/6/4 1:07:31 查看 阅读:6

BD5240G-TR是罗姆(ROHM)公司生产的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN1006-2封装,适用于需要高效率和节省空间的应用场合。其低导通电阻特性使其在便携式设备、消费类电子产品以及各类开关应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:0.9A
  导通电阻(典型值):0.8Ω
  栅极-源极电压:±10V
  功耗:0.36W
  工作温度范围:-40℃至+125℃
  封装形式:DFN1006-2

特性

BD5240G-TR具有以下显著特点:
  1. 低导通电阻设计能够有效减少功率损耗,提升系统效率。
  2. 超小型封装DFN1006-2使得其非常适合于空间受限的PCB布局。
  3. 工作温度范围宽广,能够在多种环境条件下稳定运行。
  4. 高耐压能力,支持最高60V的漏源电压,增强了其应用灵活性。
  5. 栅极驱动电压兼容标准逻辑电平,简化了与控制器或其他IC的接口设计。

应用

BD5240G-TR广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源及负载开关中的电子开关功能。
  2. 各种电池供电的便携式设备,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
  3. 消费类电子产品中的背光驱动和电机控制。
  4. 需要低功耗和高效能表现的工业控制系统。
  5. 信号路径切换及保护电路设计。

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BD5240G-TR参数

  • 标准包装3,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 监控器
  • 系列-
  • 类型简单复位/加电复位
  • 监视电压数目1
  • 输出开路漏极或开路集电极
  • 复位低有效
  • 复位超时-
  • 电压 - 阀值4V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线
  • 供应商设备封装5-SSOP
  • 包装带卷 (TR)