类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：800V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：1A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为4.5Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-92、SOT-23（具体封装可能因制造商而异）

CJU01N80的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压（Vds）高达800V，使其能够适应高电压环境下的工作需求，例如在AC-DC电源转换或高压开关电路中使用。此外，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为4.5Ω，这有助于减少导通损耗并提高能效。
　　另一个显著特性是其良好的热稳定性和可靠性。CJU01N80采用了高效的散热设计和高稳定性的材料，确保在高温环境下仍能保持稳定的性能。这一点对于工业级和高可靠性应用场景尤为重要。
　　该器件还具有较高的栅极电压耐受能力，栅源电压（Vgs）范围为±30V，使其在驱动电路设计中具有更大的灵活性，并能有效避免因过压而引起的栅极击穿问题。
　　CJU01N80的封装形式通常为TO-92或SOT-23，这使得它适用于各种小型化和高密度电路设计。SOT-23封装尤其适合表面贴装技术（SMT），有助于提升生产效率和电路板的集成度。
　　此外，CJU01N80的开关特性也非常优异，具有较快的开关速度和较低的开关损耗，适用于高频开关电源和高速开关电路应用。这使得它在现代高效能、高频率的电源设计中具有广泛的适用性。

CJU01N80广泛应用于多种电力电子系统中，特别适合于需要高耐压和高稳定性的场合。其中一个主要应用是作为开关电源中的高压侧开关元件，用于AC-DC或DC-DC转换器中，以实现高效的能量转换。由于其高耐压特性，CJU01N80也常用于LED照明驱动电路中，尤其是在需要高输入电压的离线式LED驱动方案中，起到主开关或辅助开关的作用。
　　该器件还可用于工业自动化控制系统中的继电器驱动或马达控制电路，作为负载开关使用，控制高电压设备的启停。在智能电表、电源管理系统和家用电器中，CJU01N80可用于隔离控制电路和高电压负载之间的连接，实现安全可靠的开关操作。
　　在电池管理系统中，CJU01N80可作为保护开关使用，防止过电流或短路情况下的电路损坏。此外，它还可以用于低功耗物联网设备中的电源管理模块，作为主控开关以延长电池寿命。
　　对于需要高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器或车灯驱动模块，CJU01N80也能提供稳定的性能支持。

CJU01N80可以被类似规格的MOSFET替代，例如：CJU01N80F、CJU01N80A、2N6781、2N6783、FQP1N80C等。