时间：2025/8/16 17:27:36
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CJQ4435 4K/R是一款常用的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等电子系统中。该器件采用N沟道增强型MOSFET结构，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性等特点，适合在中高功率应用中使用。该型号的封装形式通常为TO-252（DPAK），便于安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：19A（Tc=25℃）
功耗（Pd）：40W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
导通电阻（Rds(on)）：约28mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：18nC
输入电容（Ciss）：720pF
CJQ4435 4K/R具有多项优异的电气和热性能，使其在各种电源应用中表现出色。首先，该MOSFET具有非常低的导通电阻（Rds(on)），在高电流工作条件下可以显著降低导通损耗，提高整体效率。其次，其最大漏源电压为30V，适用于大多数低压功率转换电路。此外，CJQ4435 4K/R采用TO-252封装，具有良好的散热性能，能够在较高的环境温度下稳定工作。
该器件还具备较高的栅极电荷和输入电容，在开关过程中可以提供稳定的控制性能，同时降低开关损耗。由于其N沟道结构，CJQ4435 4K/R在使用时可通过简单的电压驱动实现快速开关，适用于高频开关电源、同步整流和电机驱动等应用场景。
另外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下提供一定程度的保护，从而提高系统的可靠性。
CJQ4435 4K/R广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流模块、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制单元。由于其低导通电阻和良好的热性能，特别适合用于需要高效能、高稳定性的电源设计中。
Si4435BDY-T1-GE3, IRF4435, FDS4435, AO4435
