CJQ16P03 时间：2025/8/16 22:24:47 阅读：4

CJQ16P03 是一款由国产厂商生产的增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽工艺技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低导通损耗并提高系统效率。CJQ16P03 属于N沟道增强型MOSFET，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电源管理系统等高效率、高密度电源设计中。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：160A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：≤3.2mΩ（当Vgs=10V时）
　　最大功耗(Pd)：250W
　　工作温度范围：-55℃～+175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）或类似贴片封装

特性

CJQ16P03 MOSFET采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，典型值仅为3.2毫欧姆，这使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高能效。
　　该器件支持高达160A的连续漏极电流，在高功率密度设计中表现出色，适用于高电流负载场景如服务器电源、电动车电驱系统、工业电源和大功率DC-DC转换器。
　　其最大漏源电压为30V，栅源电压范围为±20V，具备良好的电压耐受能力和稳定性，能够在较宽的电压范围内可靠工作。
　　封装方面，CJQ16P03通常采用TO-263（D2PAK）或类似的表面贴装封装形式，便于PCB布局和自动化装配，同时具备良好的热管理性能。
　　此外，该器件具有较高的热稳定性和抗过载能力，适用于高可靠性要求的应用场合。

应用

CJQ16P03 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：高性能DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源管理模块、服务器和通信设备电源系统、电动车电控系统以及工业自动化控制设备等。
　　其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高效率电源设计的理想选择，尤其适用于需要大电流输出和低功耗的场合。