时间：2025/8/17 1:08:38
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CJQ13P04是一种高性能、低功耗的MOS场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理和功率控制领域。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供了出色的导通电阻和开关性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等场景。其封装形式为常见的TO-252（DPAK）封装，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（最大值，典型值为3.8mΩ）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
CJQ13P04 MOSFET具备多项优异特性，使其在各种高功率应用中表现出色。首先，它的导通电阻非常低，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件支持高达120A的连续漏极电流，适用于高功率密度的设计。此外，CJQ13P04的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，使其兼容多种驱动电路。
在热管理方面，TO-252封装具有良好的散热性能，能够有效将热量传导至PCB板上，减少外部散热片的需求。同时，该器件的热阻（RθJC）较低，确保在高温环境下仍能稳定运行。CJQ13P04还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性。
此外，CJQ13P04的制造工艺符合RoHS环保标准，无铅且无卤素，适用于环保要求较高的电子产品。其高可靠性和稳定性使其成为汽车电子、工业电源、通信设备等领域的理想选择。
CJQ13P04广泛应用于多种高功率和高频开关场合。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及电源管理模块等。在汽车电子领域，CJQ13P04可用于车载充电器、启停系统和电动助力转向系统等关键部件。在工业控制和通信设备中，它也常用于高效率电源模块和功率放大器的设计。
SiSS130LNT、IRF130、IRF1320、CJQ13P04A、CJQ13P04G
