类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：700V
　　最大栅源电压(VGS)：±30V
　　最大漏极电流(ID)：4A
　　导通电阻(RDS(on))：≤2.8Ω @ VGS=10V
　　耗散功率(PD)：50W
　　工作温度范围：-55℃~+150℃
　　封装形式：TO-220

CJPF04N70B MOSFET采用了优化的平面工艺，具有出色的导通性能和高可靠性。其低导通电阻（RDS(on)）在10V栅极电压下低于2.8Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，该器件具备高耐压特性，漏源电压额定值为700V，能够应对高压应用的需求。CJPF04N70B的封装形式为TO-220，这种封装提供了良好的散热能力，适用于高功率密度的设计。此外，该MOSFET还具有较强的抗过载能力和良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。其栅极电压范围为±30V，允许一定的驱动电压波动，从而提高系统的兼容性与稳定性。
　　CJPF04N70B在设计上也考虑到了高频应用的需求，具备较快的开关速度，从而减少开关损耗，提高整体效率。此外，该器件的耐雪崩能力较强，能在瞬态过压条件下保持稳定工作，提高了系统的耐用性和安全性。这些特性使CJPF04N70B成为高压开关应用的理想选择，尤其适用于需要高效能、高可靠性的工业和电源管理系统。

CJPF04N70B广泛应用于多种电力电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、LED照明驱动电源以及马达驱动电路。由于其高耐压和较低导通电阻的特性，该MOSFET特别适用于需要高效率和高稳定性的高压电源转换系统。此外，CJPF04N70B也常见于逆变器、UPS不间断电源、工业自动化控制设备以及各类需要高压功率开关的电子设备中。其TO-220封装形式便于安装和散热管理，适合用于中高功率级别的电路设计。

IRF740、FQP7N80C、STP8NK80Z、2SK2142