CJPF03N80 时间：2025/8/17 0:34:10 阅读：8

CJPF03N80 是一款由华润华晶微电子（无锡）有限公司生产的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等电路中。这款MOSFET具备良好的导通特性和较高的耐压能力，适合在中高功率场合使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：3A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.5Ω（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、DIP等

特性

CJPF03N80 MOSFET具备良好的热稳定性和高耐压特性，能够在高压环境下稳定工作。其导通电阻较低，在10V的栅极驱动电压下能够实现较好的导通性能，从而降低功率损耗。此外，该器件具有较高的开关速度，适用于高频开关电源设计。CJPF03N80还具备较强的抗过载能力和良好的短路耐受性，提升了整体系统的可靠性。
　　该器件的封装形式多样，包括TO-220和DIP等，便于在不同应用中灵活选用。TO-220封装具有良好的散热性能，适合需要较高功率耗散的应用场景。其内部结构优化，减小了寄生电容，提高了高频响应能力，适合用于开关电源中的同步整流、DC-DC转换器中的功率开关等应用。CJPF03N80的栅极驱动电压范围较宽，兼容多种驱动电路设计，包括常见的12V驱动系统。

应用

CJPF03N80 MOSFET主要用于各类电源管理系统，包括AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED驱动电源、电池充电器以及工业控制电路中的负载开关。其高压特性也使其适用于变频器、电机驱动和智能电表等中高功率电子设备。此外，由于其具备较高的开关速度和较低的导通损耗，该器件也常用于节能照明系统和高效能电源模块中。