时间：2025/8/17 2:30:33
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CJPF02N65是一款由华润微电子（China Resources Microelectronics）推出的高性能N沟道功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术和高密度芯片设计，具备低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：2A（@Tc=25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：8A
导通电阻（Rds(on)）：≤3.5Ω（@Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：12nC（典型值）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220、DPAK、DFN等
CJPF02N65具有多项优异特性，首先是其高耐压能力，漏源击穿电压高达650V，适用于中高压功率转换系统。该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构，有效降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
其次，该器件具备良好的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其低栅极电荷（Qg）设计有助于降低开关损耗，提升高频工作下的整体性能。此外，CJPF02N65的封装形式多样，包括TO-220、DPAK和DFN等，便于适应不同PCB布局和散热需求。
在安全性和保护方面，该MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力，能够有效应对突发的电压浪涌，提升系统在恶劣环境下的稳定性和寿命。
CJPF02N65广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、LED驱动器、电池充电器、DC-DC转换器、光伏逆变器以及电机控制电路。此外，该器件也适用于家用电器、工业自动化设备和智能电表等需要高效能功率开关的场合。
FQP02N65、2N65R02、SIHF02N65、STF02N65DM
