CJP71N90 是一款高压、大电流的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和高功率LED驱动等高效率功率转换系统中。该器件采用先进的平面工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压和优异的热稳定性。CJP71N90 的漏源电压(VDS)可达900V,连续漏极电流(ID)可达71A,适用于高功率密度设计。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):900V
栅源电压(VGS):±30V
连续漏极电流(ID):71A
导通电阻(RDS(on)):典型值0.14Ω
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-247、TO-264等
CJP71N90 功率MOSFET具备多项优良特性,首先是其高耐压能力,漏源电压可达到900V,使其适用于高电压输入环境,如AC-DC电源适配器和工业电源系统。
其次,该器件具有较低的导通电阻(RDS(on))典型值为0.14Ω,从而减少了导通损耗,提高了系统效率,并降低了散热需求。
此外,CJP71N90 采用先进的封装技术,具有良好的热传导性能,确保在高电流工作条件下仍能保持稳定运行。
该器件还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,有助于减小外围元件体积,提高功率密度。
同时,其栅极驱动电压范围宽(±30V),兼容多种驱动电路,增强了设计灵活性。
最后,CJP71N90 具有较高的雪崩能量承受能力,提升了在突发电压或电流冲击下的可靠性。
CJP71N90 主要应用于各类功率电子设备中,例如:
1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC转换器的主开关管,用于提高转换效率并减小体积。
2. DC-DC转换器:用于工业设备和通信电源系统中的升压或降压电路。
3. 电机驱动:适用于电动工具、变频空调和伺服电机控制等场合。
4. 高功率LED驱动:用于恒流驱动电路,确保LED光源的稳定性和寿命。
5. 电源管理模块:如不间断电源(UPS)、电池管理系统(BMS)等。
6. 工业自动化与电机控制:适用于PLC控制模块和工业变频器系统。
STF71N90K5、FQPF71N90、IRF71N90、K2964、FDPF71N90