类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.5Ω（具体值视VGS而定）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V~2.5V
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252等常见功率封装

CJP04N65A具有多项优良特性，适合高效率功率转换应用。其导通电阻低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的开关速度快，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。CJP04N65A的栅极驱动电压范围宽，便于与各种驱动电路配合使用，同时具备良好的热稳定性，可在高温环境下稳定工作。其沟道设计优化了电流分布，提高了器件的可靠性和耐用性，适用于对性能要求较高的工业和消费类电子设备。
　　该MOSFET还具有较强的短路耐受能力，能够在一定条件下承受瞬时过载而不损坏，提高了系统的安全性和稳定性。其封装形式具备良好的散热能力，有助于降低工作温度，延长器件使用寿命。CJP04N65A还具备良好的抗静电能力，适用于多种复杂工作环境。

CJP04N65A主要应用于各类功率转换设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制器、负载开关和电池管理系统等。由于其具备较高的电压耐受能力和良好的导通特性，该器件在高频开关电源中表现出色，可有效提高电源转换效率并减小电源体积。在电机驱动和电池管理系统中，CJP04N65A可用于实现高效能功率控制和保护功能。此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、消费类电子产品和智能家电中的电源管理模块。

TK04A60D, FQP4N60, IRF740, STP4NK60Z