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DS1230AB-70IND 发布时间 时间:2025/6/10 12:26:21 查看 阅读:9

DS1230AB-70IND 是一款由 Maxim Integrated(现为 Analog Devices)生产的非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)。该芯片结合了 SRAM 的快速读写特性和 EEPROM 的非易失性数据存储能力,使得其在掉电后仍能保存数据。DS1230AB-70IND 提供了一个高可靠性的解决方案,适用于需要频繁数据写入和断电保护的应用场景。
  这款 NVSRAM 使用了一种后备电池技术,在主电源断开时自动切换到备用电源以维持数据完整性。它支持标准的 SPI 接口协议,便于与微控制器或处理器进行通信。

参数

容量:32K x 8 bits
  接口类型:SPI
  工作电压:2.5V 至 5.5V
  最大工作电流:2mA(典型值)
  待机电流:1μA(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:SOIC-8
  数据保存时间:超过10年

特性

DS1230AB-70IND 的主要特性包括:
  1. 高速 SPI 接口,能够实现高达 20MHz 的时钟频率操作。
  2. 内置非易失性功能,无需外部电池即可保存数据。
  3. 自动电源故障保护机制,确保在电源波动或断电情况下数据不丢失。
  4. 超低功耗设计,特别适合便携式设备和电池供电系统。
  5. 数据保存时间长,保证数据在无电源条件下保存至少十年。
  6. 工作温度范围宽广,适应多种恶劣环境下的应用需求。

应用

该芯片广泛应用于需要数据存储和保护的各类电子设备中,具体应用场景包括:
  1. 工业自动化系统中的数据记录和配置存储。
  2. 医疗设备的数据日志和患者信息管理。
  3. 电力仪表和能源管理系统中的电量计量和状态监控。
  4. 汽车电子系统中的行驶数据记录和诊断信息保存。
  5. 安防监控设备中的事件触发记录和报警信息备份。
  6. 物联网终端节点的数据缓存和设置保存。

替代型号

DS1230Y-70+, DS1230B-70, MX25L3273E

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DS1230AB-70IND参数

  • 标准包装12
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量256K (32K x 8)
  • 速度70ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.75 V ~ 5.25 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装28-EDIP
  • 包装管件