时间：2025/8/17 3:34:25
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CJP04N60是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率电子设备中，如开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等应用。这款MOSFET具有较高的电压和电流承受能力，适合中高功率的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：4A（在25℃）
导通电阻(Rds(on))：典型值为2.5Ω（最大3.0Ω）
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃~150℃
封装类型：TO-220、TO-252等常见功率封装
CJP04N60具有优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻确保了在工作过程中较低的功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有较高的热稳定性和可靠性，适用于各种恶劣的工作环境。
该MOSFET采用先进的平面工艺制造，确保了稳定的电气性能和良好的抗过载能力。器件内部的结构设计优化了电场分布，从而提高了击穿电压的稳定性，使器件在高电压应用中表现更加可靠。
由于其封装形式紧凑，CJP04N60在PCB布局中占用空间较小，适合对体积和重量有要求的应用。同时，该器件具备良好的散热性能，可以通过加装散热片进一步提高其在高功率应用中的可靠性。
CJP04N60主要应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动、充电器、LED驱动电源以及各种中高功率电子设备中。其高电压承受能力和良好的导通性能使其成为许多工业控制和电源管理方案中的关键元件。
2SK2647, 2SK1532, IRF840, FQP4N60
