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APTGT400DA60D3G 发布时间 时间:2025/4/1 10:54:49 查看 阅读:6

APTGT400DA60D3G是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业电源、电机驱动和新能源领域。该模块采用了先进的沟槽栅场截止技术,具有低导通损耗和开关损耗的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该IGBT模块封装形式为标准的62mm封装,内部集成有NTC温度传感器,便于实时监测模块的工作温度。其额定电压为1200V,额定电流为400A,适用于高功率密度的应用场景。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:400A
  最大集射极电压:1350V
  最大门极发射极电压:±20V
  最大连续集电极电流:400A
  最大脉冲电流:800A
  开关频率:最高10kHz
  结温范围:-40℃至150℃
  存储温度范围:-55℃至150℃

特性

采用了先进的沟槽栅场截止(Trench FS)技术,相比传统的平面IGBT,其开关速度更快,损耗更低,同时具备更高的可靠性和热稳定性。
  模块内置了过流保护功能,当发生短路或过载时,能够迅速关断以保护器件不受损坏。
  此外,APTGT400DA60D3G还具有较低的热阻设计,确保在高功率运行条件下,芯片温度得到有效控制,从而延长使用寿命。
  集成的NTC温度传感器使得用户可以实时监控模块温度,进一步优化系统性能并提升安全性。

应用

主要应用于高功率变频器、风力发电变流器、光伏逆变器、电动汽车驱动系统以及不间断电源(UPS)等领域。
  在工业自动化领域中,该IGBT模块可用于伺服驱动器、软启动器等设备,提供高效的电力转换。
  另外,在新能源汽车行业中,APTGT400DA60D3G也因其出色的性能表现而被广泛采用,用于主驱逆变器及辅助逆变器等关键部件。

替代型号

APTGH400DU60D3G
  APTGT450DU60D3G

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APTGT400DA60D3G参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型沟道和场截止
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.9V @ 15V,400A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500A
  • 电流 - 集电极截止(最大)500µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)24nF @ 25V
  • 功率 - 最大1250W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳D3
  • 供应商设备封装D3