CJP01N60 时间：2025/8/17 1:23:17 阅读：30

CJP01N60 是一款由华润微电子（CR Micro）生产的高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高可靠性的特点，适用于开关电源、适配器、LED驱动器以及各种DC-DC转换器等电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：1A
　　功耗（Pd）：25W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92 或 DIP-3

特性

CJP01N60 MOSFET具有多项优异特性，能够满足高压和高可靠性应用场景的需求。
　　首先，该器件的漏源击穿电压（Vds）为600V，使其能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换系统。其次，其栅源电压容限为±30V，具备较强的栅极抗干扰能力，从而提高了器件在复杂电磁环境中的稳定性。
　　在导通性能方面，CJP01N60拥有较低的导通电阻（Rds(on)），通常在几欧姆以下，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。同时，其最大连续漏极电流为1A，在小功率应用中表现出色，适合用于高频开关应用。
　　该器件采用标准TO-92或DIP-3封装，具备良好的散热性能和机械强度，适合插件安装，广泛应用于各种通用电源电路中。此外，其工作温度范围为-55°C至+150°C，表现出良好的温度适应性和可靠性，适用于工业级环境。
　　综合来看，CJP01N60是一款性能稳定、耐压高、功耗低且易于使用的功率MOSFET器件，适用于多种小功率高压开关应用场合。