HY5V26FLFP-H 是由三星(Samsung)推出的一款低电压、高性能的闪存芯片,属于NAND Flash存储器类别。该芯片设计用于便携式电子设备、嵌入式系统以及其他对功耗敏感的应用场景。HY5V26FLFP-H具有较高的存储密度和较宽的工作温度范围,能够适应各种复杂环境。
容量:256Mbit
电压范围:2.3V - 3.6V
接口类型:SPI
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
读取电流(最大):5mA
写入/擦除电流(最大):15mA
待机电流(最大):10uA
数据保持时间:10年
擦除周期:100,000次
HY5V26FLFP-H具备低功耗设计,适合电池供电设备的使用。其采用标准的SPI接口,便于与微控制器或其他主控设备连接,简化了硬件设计。
此外,该芯片支持快速读写操作,读取速度可达20MHz,提高了系统的响应能力。芯片内置错误检测和纠正机制,确保数据的完整性与可靠性。
HY5V26FLFP-H还支持块擦除功能,允许用户对特定区域进行擦除操作,提升了存储管理的灵活性。同时,其高耐用性(擦除周期达10万次)和较长的数据保持时间(10年),使其在长期使用中表现出色。
封装方面,TSOP(薄型小外形封装)设计使得该芯片在空间受限的设备中更容易集成,降低了PCB布局的难度。
HY5V26FLFP-H广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于智能手机、平板电脑、工业控制设备、医疗仪器、消费类电子产品等。由于其低功耗特性和高性能,该芯片也适用于需要长期运行且对能耗敏感的物联网(IoT)设备。
在嵌入式系统中,HY5V26FLFP-H常用于存储固件、配置数据或日志信息,为系统提供稳定可靠的非易失性存储解决方案。
此外,该芯片还可用于车载电子设备、智能穿戴设备以及各种便携式设备中,满足不同行业的存储需求。
SST25VF032B, MX25L25645G