HY5V26FLFP-H 时间：2025/9/1 19:35:02 阅读：23

HY5V26FLFP-H 是由三星（Samsung）推出的一款低电压、高性能的闪存芯片，属于NAND Flash存储器类别。该芯片设计用于便携式电子设备、嵌入式系统以及其他对功耗敏感的应用场景。HY5V26FLFP-H具有较高的存储密度和较宽的工作温度范围，能够适应各种复杂环境。

参数

容量：256Mbit
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　接口类型：SPI
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取电流（最大）：5mA
　　写入/擦除电流（最大）：15mA
　　待机电流（最大）：10uA
　　数据保持时间：10年
　　擦除周期：100,000次

特性

HY5V26FLFP-H具备低功耗设计，适合电池供电设备的使用。其采用标准的SPI接口，便于与微控制器或其他主控设备连接，简化了硬件设计。
　　此外，该芯片支持快速读写操作，读取速度可达20MHz，提高了系统的响应能力。芯片内置错误检测和纠正机制，确保数据的完整性与可靠性。
　　HY5V26FLFP-H还支持块擦除功能，允许用户对特定区域进行擦除操作，提升了存储管理的灵活性。同时，其高耐用性（擦除周期达10万次）和较长的数据保持时间（10年），使其在长期使用中表现出色。
　　封装方面，TSOP（薄型小外形封装）设计使得该芯片在空间受限的设备中更容易集成，降低了PCB布局的难度。

应用

HY5V26FLFP-H广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于智能手机、平板电脑、工业控制设备、医疗仪器、消费类电子产品等。由于其低功耗特性和高性能，该芯片也适用于需要长期运行且对能耗敏感的物联网（IoT）设备。
　　在嵌入式系统中，HY5V26FLFP-H常用于存储固件、配置数据或日志信息，为系统提供稳定可靠的非易失性存储解决方案。
　　此外，该芯片还可用于车载电子设备、智能穿戴设备以及各种便携式设备中，满足不同行业的存储需求。