时间：2025/8/16 21:10:26
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CJI02N60是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高功率应用。该器件由CJ（长电科技）生产，具有较高的导通性能和良好的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和各种功率电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：2A
导通电阻(Rds(on))：≤2.0Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220、DPAK等
CJI02N60具有较低的导通电阻，能够在高电压条件下实现高效的功率转换，降低系统功耗。其封装设计提供了良好的散热性能，确保在高负载下仍能保持稳定工作。此外，该MOSFET具备较强的抗过载和抗静电能力，提高了器件的可靠性和使用寿命。
在栅极驱动方面，CJI02N60支持较宽的栅极电压范围，确保在不同驱动条件下都能实现良好的导通特性。其快速开关特性使其适用于高频开关电路，减少开关损耗，提高整体系统效率。
该器件还具备良好的热反馈特性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能，避免因温度升高而导致的性能下降或损坏。
CJI02N60广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、LED驱动电源、家电控制板、电机控制器、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关部分。其高耐压和良好的导通性能也使其适用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电模块等。
FQP2N60、2SK2143、2SK2545、STP2NA60Z、IRFPC26
