时间：2025/8/16 17:39:16
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CJD04N65 80/G 是一款由CJ（长电科技）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制等高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4A
导通电阻(Rds(on))：≤2.5Ω（典型值）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
功率耗散(Pd)：50W
CJD04N65 80/G具备多项优异特性，包括低导通电阻（Rds(on)）以减少导通损耗，提高系统效率；高耐压能力（650V）确保其在高压环境下稳定工作；采用先进的平面工艺制造，具有良好的热稳定性和高可靠性；同时具备较强的抗冲击能力和过载能力，适合恶劣的工作环境。
该器件的TO-220封装形式有助于良好的散热性能，适用于需要高功率密度和高效率的设计。此外，其±20V的栅源电压耐受能力提供了更大的驱动灵活性，使其能够兼容多种驱动电路设计。
由于其出色的性能表现，CJD04N65 80/G被广泛应用于各种电源管理设备、工业控制系统、消费类电子产品以及汽车电子系统中。
CJD04N65 80/G 主要用于以下应用场景：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动和控制电路、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电源、逆变器与UPS系统、家用电器中的功率控制模块、工业自动化设备以及新能源领域的光伏逆变器等。
在这些应用中，该MOSFET能够有效提高系统效率，降低能耗，并提供稳定的功率控制性能。
建议替代型号：STF4N65M2、FQP4N65、2SK2143、IRF840、APT04N65B、SiHP04N65
