类型：NPN 双极性晶体管
　　最大集电极电流 (Ic)：150 mA
　　最大集电极-发射极电压 (Vceo)：30 V
　　最大集电极-基极电压 (Vcbo)：50 V
　　最大功耗 (Ptot)：300 mW
　　电流增益 (hFE)：在 Ic=2 mA 时，典型值为 100 到 800（根据后缀字母不同）
　　过渡频率 (fT)：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

2N5110 晶体管具备多个关键特性，使其在各种电子电路中表现出色。首先，它的电流增益（hFE）范围较宽，通常在 100 到 800 之间，具体取决于器件的后缀字母（如 A、B、C 等），这使得用户可以根据具体需求选择合适的增益等级，从而优化电路性能。其次，该晶体管的过渡频率（fT）为 100 MHz，表明它在中高频放大应用中具有良好的响应能力，适合用于音频放大器和射频电路。
　　2N5110 的最大集电极电流为 150 mA，集电极-发射极电压为 30 V，使其能够在中等功率条件下可靠工作。同时，其 TO-92 封装结构紧凑，便于安装在各种电路板上，并具备良好的散热性能。该晶体管的最大功耗为 300 mW，确保在长时间工作下不会出现过热问题。
　　此外，2N5110 的工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，表现出良好的热稳定性和环境适应能力，适用于工业和消费类电子设备。其基极-发射极电压约为 0.7 V，与常见的 TTL 和 CMOS 逻辑电平兼容，便于与数字电路结合使用。

2N5110 主要用于中功率放大、开关电路以及信号处理应用。在音频放大电路中，它可以作为前置放大器或驱动放大器，提供足够的增益和较低的失真。在数字电路中，2N5110 常用于晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路中的开关元件，驱动继电器、LED 或小型电机等负载。此外，该晶体管也可用于射频（RF）放大电路，特别是在低功率发射器和接收器中。由于其良好的频率响应和较高的可靠性，2N5110 还被广泛应用于传感器电路、电源管理电路以及各种嵌入式系统中。

2N3904, BC547, PN2222