时间：2025/8/16 17:43:13
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CJB08N65是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于电源管理、开关电源、逆变器、充电器等高功率应用场景。该器件采用先进的高压工艺制造，具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于高效率和高可靠性要求的电子系统。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：650V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8A（@25℃）
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-220、TO-263等
CJB08N65具有良好的导通性能和快速开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件内置体二极管，能够承受较高的反向恢复电流，适用于高频开关应用。
在热性能方面，CJB08N65具备较强的热稳定性和散热能力，可在高温环境下稳定工作，提高了器件的可靠性与寿命。
此外，该MOSFET具备较高的抗静电能力（ESD）和优异的短路耐受能力，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行，降低了系统故障率。
其封装形式多样，包括TO-220和TO-263等，便于根据不同的应用需求进行安装和散热设计，广泛适用于工业控制、消费电子和汽车电子等领域。
CJB08N65广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、LED驱动器、电动工具、家电控制电路以及工业自动化设备中的功率开关部分。其高耐压和高电流能力使其在需要高效能转换的场合尤为适用。
FQP8N65C、KSD8N65F1、IRF840、TK8A65D
